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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIHB125N60EF-T5GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 600V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | SIHB125N60EF-T5GE3 |
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SIHB12N60E-GE3
Vishay Siliconix
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1 | MOSFET N CH 600V 12A TO263 | SIHB12N60E-GE3 |
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SIHB17N80AE-T5-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 800V, 0.29ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | SIHB17N80AE-T5-GE3 |
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SIHB120N60E-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 600V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | SIHB120N60E-GE3 |
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SIHB11N80E-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 800V, 0.44ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | SIHB11N80E-GE3 |
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SIHB150N60E-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 600V, 0.158ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | SIHB150N60E-GE3 |
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SIHB12N60ET5-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 600V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | SIHB12N60ET5-GE3 |
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SIHB180N60E-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 600V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | SIHB180N60E-GE3 |
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SIHB15N60E-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 600V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | SIHB15N60E-GE3 |
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SIHB16N50C-E3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 500V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | SIHB16N50C-E3 |
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SIHB125N65E-T1-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 650V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | SIHB125N65E-T1-GE3 |
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