Showing 18 of 43 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SK3679
Thomson Consumer Electronics
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1 | Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 25A, 100V V(RRM) | SK3679 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SK3675TO3AL
Fischer Elektronik GmbH & Co KG
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1 | Heat Sink, 5ohm, Extruded, Longitudinal | SK3675TO3AL |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3670(F)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | 2SK3670(F) |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3676-01SJ
Fuji Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 900V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK3676-01SJ |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3674-01SJ
Fuji Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 900V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK3674-01SJ |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3674-01S
Fuji Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 900V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK3674-01S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK367-O
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET | 2SK367-O |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3675-01
Fuji Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 900V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | 2SK3675-01 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK367-GR
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET | 2SK367-GR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3676-01L
Fuji Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 900V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK3676-01L |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3679-01MR
Fuji Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 900V, 1.58ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SK3679-01MR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK367-Y
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET | 2SK367-Y |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3670(Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | 2SK3670(Q) |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3678-01
Fuji Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 900V, 1.58ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SK3678-01 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3677-01MR
Fuji Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 700V, 0.93ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SK3677-01MR |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3673-01MR
Fuji Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 700V, 1.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SK3673-01MR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3670
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.67A I(D), 150V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92 | 2SK3670 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3674-01L
Fuji Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 900V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SK3674-01L |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||