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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SP000440972
Infineon Technologies AG
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1 | Hall Effect Sensor, 50mT Min, 200mT Max, 0-5mA, Rectangular, 4 Pin, Through Hole Mount | SP000440972 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SP000010401
Infineon Technologies AG
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1 | Variable Capacitance Diode, Very High Frequency, 38.3pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt | SP000010401 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SP000997990
Infineon Technologies AG
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1 | Hall Effect Sensor, -4.1mT Min, 4.1mT Max, 0-10mA, Rectangular, 6 Pin, Surface Mount | SP000997990 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SP000747452
Infineon Technologies AG
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon | SP000747452 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SP000747418
Infineon Technologies AG
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon | SP000747418 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SP000446062
Infineon Technologies AG
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | SP000446062 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SP000453644
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | SP000453644 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SP000748536
Infineon Technologies AG
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1 | Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin | SP000748536 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SP000313122
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 30V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SP000313122 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SP000014918
Infineon Technologies AG
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1 | Silicon Controlled Rectifier, 260A I(T)RMS, 162A I(T), 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 2 Element | SP000014918 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SP000677894
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 64A I(D), 250V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | SP000677894 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SP000857484
Infineon Technologies AG
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1 | LOAD SWITCH, Fixed, PDSO14 | SP000857484 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SP000278512
Infineon Technologies AG
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1 | Hall Effect Sensor, -500mT Min, 500mT Max, Rectangular, 2 Pin, Through Hole Mount | SP000278512 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SP000702610
Infineon Technologies AG
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | SP000702610 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SP000525146
Infineon Technologies AG
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1 | LOAD SWITCH, Fixed, SIPMOS, PSSO4 | SP000525146 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SP000216310
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 800V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | SP000216310 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SP000746850
Infineon Technologies AG
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon | SP000746850 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SP000745260
Infineon Technologies AG
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1 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 1-Element, X Band, Silicon, NPN | SP000745260 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SP000473020
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14.9A I(D), 30V, 0.0084ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SP000473020 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SP000012949
Infineon Technologies AG
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1 | Magnetic Field Sensor | SP000012949 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SP000915642
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 54A I(D), 250V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SP000915642 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SP000411784
Infineon Technologies AG
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1 | LOAD SWITCH, Fixed, SIPMOS, PSSO4 | SP000411784 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SP000101744
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 70A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | SP000101744 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SP000745268
Infineon Technologies AG
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1 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.06A I(C), 1-Element, S Band, Silicon, NPN | SP000745268 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SP000010202
Infineon Technologies AG
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.25A, 50V V(RRM), Silicon | SP000010202 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||