Showing 25 of 1349 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SP001277604
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 600V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | SP001277604 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SP001063644
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 55V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | SP001063644 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SP001963054
Infineon Technologies AG
|
1 | Sensor/Transducer | SP001963054 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SP001595936
Infineon Technologies AG
|
1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 12A, 650V V(RRM), Silicon Carbide, TO-220AC | SP001595936 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SP001554020
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 100V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | SP001554020 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SP001560520
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 60V, 0.002ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC | SP001560520 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SP001528284
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 25V, 0.0016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SP001528284 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SP001061264
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 40V, 0.0072ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SP001061264 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SP001571098
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 53A I(D), 55V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC | SP001571098 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SP001063630
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 55V, 0.047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | SP001063630 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SP001537164
Infineon Technologies AG
|
1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 55A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AC | SP001537164 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SP001568914
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 30V, 0.064ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB | SP001568914 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SP001368958
Infineon Technologies AG
|
1 | Speed Sensor, 2 Pin, Plastic/epoxy | SP001368958 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SP001553984
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 57A I(D), 100V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | SP001553984 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SP001387544
Infineon Technologies AG
|
1 | Speed Sensor, 2 Pin, Plastic/epoxy | SP001387544 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SP001563476
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 57A I(D), 100V, 0.013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SP001563476 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SP001121552
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 250A I(D), 40V, 0.0017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SP001121552 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SP001554282
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 0.0135ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA | SP001554282 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SP001565902
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 104A I(D), 150V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | SP001565902 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SP001062586
Infineon Technologies AG
|
1 | RF Small Signal Bipolar Transistor | SP001062586 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SP001559536
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | SP001559536 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SP001117720
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, | SP001117720 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SP001179618
Infineon Technologies AG
|
1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 0.25A, 40V V(RRM), Silicon | SP001179618 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SP001387576
Infineon Technologies AG
|
1 | Speed Sensor, 2 Pin, Plastic/epoxy | SP001387576 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SP001545704
Infineon Technologies AG
|
1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 70A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AC | SP001545704 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||