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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SPP80P06P
Rochester Electronics LLC
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1 | 91A, 60V, 0.023ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, PLASTIC, TO-220, 3 PIN | SPP80P06P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SPP80N06S2L-09
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.0113ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | SPP80N06S2L-09 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SPP80N06S-08
Rochester Electronics LLC
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1 | 80A, 55V, 0.008ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN | SPP80N06S-08 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SPP80N06S-08
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | SPP80N06S-08 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SPP80N06S2L-07
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | SPP80N06S2L-07 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SPP80N06S2L-H5
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | SPP80N06S2L-H5 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SPP80P06PHKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 91A I(D), 60V, 0.023ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | SPP80P06PHKSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SPP80N04S2-04
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 40V, 0.0037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | SPP80N04S2-04 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SPP80N06S2L-H5
Rochester Electronics LLC
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1 | 80A, 55V, 0.0065ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, PLASTIC, TO-220, 3 PIN | SPP80N06S2L-H5 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SPP80N06S2L-11
Rochester Electronics LLC
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1 | 80A, 55V, 0.0147ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, PLASTIC, TO-220, 3 PIN | SPP80N06S2L-11 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SPP80N04S2L-03
Rochester Electronics LLC
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1 | 80A, 40V, 0.0045ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, PLASTIC, TO-220, 3 PIN | SPP80N04S2L-03 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SPP80N06S08AKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | SPP80N06S08AKSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SPP80N06S2-09
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.0091ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | SPP80N06S2-09 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SPP80N06S2L-09
Rochester Electronics LLC
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1 | 80A, 55V, 0.0113ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, PLASTIC, TO-220, 3 PIN | SPP80N06S2L-09 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SPP80N06S2-H5
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | SPP80N06S2-H5 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SPP80N04S2L-03
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 40V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | SPP80N04S2L-03 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SPP80P06PHXK
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 91A I(D), 60V, 0.023ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | SPP80P06PHXK |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SPP80N06S2L-11
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.0147ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | SPP80N06S2L-11 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SPP80N10L
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 100V, 0.024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | SPP80N10L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SPP80N06S2-08
Rochester Electronics LLC
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1 | 80A, 55V, 0.008ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, PLASTIC, TO-220, 3 PIN | SPP80N06S2-08 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SPP80N08S2L-07
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 75V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | SPP80N08S2L-07 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SPP80N06S2L-06
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.0084ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | SPP80N06S2L-06 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SPP80P06P
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 91A I(D), 60V, 0.023ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | SPP80P06P |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SPP80P06PG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 91A I(D), 60V, 0.023ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | SPP80P06PG |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSPP80N06S2-09
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BSPP80N06S2-09 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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