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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSD2004
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 20V, 0.125ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SSD2004 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSD2008ATF
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), N-Channel and P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | SSD2008ATF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSD20N06-90D
Secos Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 60V, 0.094ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, TO-252 | SSD20N06-90D |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSD20P06-135D
Secos Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 60V, 0.135ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, TO-252 | SSD20P06-135D |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSD20P15-295D
Secos Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10.7A I(D), 150V, 0.295ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | SSD20P15-295D |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSD20N03
Secos Corporation
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1 | Transistor | SSD20N03 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSD2019ATF
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.4A I(D), P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | SSD2019ATF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSD20P04-60D
Secos Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 40V, 0.069ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | SSD20P04-60D |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSD2008A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 30V, 0.05ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SSD2008A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSD2007
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 50V, 0.3ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SSD2007 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSD20P03-60-C
Secos Corporation
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1 | Transistor | SSD20P03-60-C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSD20N20-125D
Secos Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 200V, 0.26ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | SSD20N20-125D |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSD2002
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 25V, 0.1ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SSD2002 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSD20N10-250D-C
Secos Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, TO-252 | SSD20N10-250D-C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSD2007A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 50V, 0.3ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SSD2007A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSD2009
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 50V, 0.13ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SSD2009 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSD20N06-90D-C
Secos Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 60V, 0.094ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, TO-252 | SSD20N06-90D-C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSD20P15-295D-C
Secos Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10.7A I(D), 150V, 0.295ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | SSD20P15-295D-C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSD2019A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.4A I(D), 20V, 0.11ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SSD2019A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSD2011
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 60V, 0.28ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SSD2011 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSD2006
Solomon Systech Limited
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1 | Interface Circuit | SSD2006 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSD2025TF
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 60V, 0.1ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SSD2025TF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSD2025TF_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 60V, 0.1ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SSD2025TF_NL |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSD20P03-C
Secos Corporation
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1 | Transistor | SSD20P03-C |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSD2015
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 12V, 0.13ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SSD2015 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||