Showing 25 of 3058 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB20NM50
STMicroelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 500V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | STB20NM50 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB2060
Sangdest Microelectronics (Nanjing) Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 20A, 60V V(RRM), Silicon | STB2060 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB20200
Sangdest Microelectronics (Nanjing) Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 200V V(RRM), Silicon | STB20200 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB20200C
Sangdest Microelectronics (Nanjing) Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 200V V(RRM), Silicon | STB20200C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB200N04
STMicroelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 40V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | STB200N04 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB20NM50FDT4
STMicroelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 500V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | STB20NM50FDT4 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB20NM50FD
STMicroelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 500V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | STB20NM50FD |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB20100TR
Sangdest Microelectronics (Nanjing) Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 20A, 100V V(RRM), Silicon | STB20100TR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB200N4F3
STMicroelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 40V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | STB200N4F3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB20150
Sangdest Microelectronics (Nanjing) Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 150V V(RRM), Silicon | STB20150 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB2047RD420414-SC
SMART Modular Technology Inc
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1 | DDR4 DRAM Module, 2GX72, CMOS | STB2047RD420414-SC |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB2045C
Sangdest Microelectronics (Nanjing) Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 45V V(RRM), Silicon | STB2045C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB20NM50T4
STMicroelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 500V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | STB20NM50T4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB2045
Sangdest Microelectronics (Nanjing) Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 45V V(RRM), Silicon | STB2045 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB20120C
Sangdest Microelectronics (Nanjing) Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 120V V(RRM), Silicon | STB20120C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB200NF04-1
STMicroelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 40V, 0.0037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | STB200NF04-1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB20NM60-1
STMicroelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 600V, 0.29ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | STB20NM60-1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB20N95DK5
STMicroelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 950V, 0.33ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | STB20N95DK5 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB20100
Sangdest Microelectronics (Nanjing) Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 20A, 100V V(RRM), Silicon | STB20100 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB200NF04L
STMicroelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 40V, 0.0046ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | STB200NF04L |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB2080C
Sangdest Microelectronics (Nanjing) Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 80V V(RRM), Silicon | STB2080C |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB20300TR
Sangdest Microelectronics (Nanjing) Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 20A, 300V V(RRM), Silicon | STB20300TR |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB200NF04L-1
STMicroelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 40V, 0.0043ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | STB200NF04L-1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB200N6F3TRL
STMicroelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 60V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | STB200N6F3TRL |
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STB20120
Sangdest Microelectronics (Nanjing) Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 120V V(RRM), Silicon | STB20120 |
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