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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB300NH02LTRL
STMicroelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 24V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | STB300NH02LTRL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB30H100
Sangdest Microelectronics (Nanjing) Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 30A, 100V V(RRM), Silicon | STB30H100 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB30100
Sangdest Microelectronics (Nanjing) Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 100V V(RRM), Silicon | STB30100 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB30NF20TRL
STMicroelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 200V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | STB30NF20TRL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB3015L
STMicroelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 30V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | STB3015L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB30.5IH/SW
Weidmüller Interface GmbH & Co. KG
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1 | Terminal Block Accessory | STB30.5IH/SW |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB3020LT4
STMicroelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 30V, 0.038ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | STB3020LT4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB30NM60N
STMicroelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 600V, 0.13ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | STB30NM60N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB3020L
STMicroelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 30V, 0.038ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | STB3020L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB3080C
Sangdest Microelectronics (Nanjing) Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 15A, 80V V(RRM), Silicon | STB3080C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB30200C
Sangdest Microelectronics (Nanjing) Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 200V V(RRM), Silicon | STB30200C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB3045C
Sangdest Microelectronics (Nanjing) Co Ltd
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1 | Rectifier Diode | STB3045C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB3060C
Sangdest Microelectronics (Nanjing) Co Ltd
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1 | Rectifier Diode | STB3060C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB30300TR
Sangdest Microelectronics (Nanjing) Co Ltd
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1 | Rectifier Diode | STB30300TR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB30120C
Sangdest Microelectronics (Nanjing) Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 120V V(RRM), Silicon | STB30120C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB3055L2
SamHop Microelectronics Corp.
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | STB3055L2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB30150C
Sangdest Microelectronics (Nanjing) Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 150V V(RRM), Silicon | STB30150C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB300S
SamHop Microelectronics Corp.
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1 | Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 30V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | STB300S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB30NM50N
STMicroelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 500V, 0.115ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | STB30NM50N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB30.5IH/VI
Weidmüller Interface GmbH & Co. KG
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1 | Terminal Block Accessory | STB30.5IH/VI |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB304012
nVent
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1 | GL66 SC ENCLOSURE, 300X400X120MM, EA | STB304012 |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB303020
EUROPA COMPONENTS
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1 | IP65 STEEL ENCLOSURE 300X300X200MM | STB303020 |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RKC4BDSTB301J
KOA Speer Electronics Inc
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1 | Array/Network Resistor, Bussed, Metal Glaze/thick Film, 0.5W, 300ohm, 200V, 5% +/-Tol, 200ppm/Cel, Through Hole Mount | RKC4BDSTB301J |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RKL10BDSTB3002F
KOA Speer Electronics Inc
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1 | Array/Network Resistor, Bussed, Metal Glaze/thick Film, 0.125W, 30000ohm, 100V, 1% +/-Tol, -200,200ppm/Cel, | RKL10BDSTB3002F |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RKL4BLSTB304G
KOA Speer Electronics Inc
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1 | Array/Network Resistor, Bussed, Metal Glaze/thick Film, 0.125W, 300000ohm, 100V, 2% +/-Tol, -200,200ppm/Cel, 5010, | RKL4BLSTB304G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||