Showing 25 of 32967 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
TK-100-0050
Polara Engineering Inc
|
1 | Delay Line | TK-100-0050 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
TK10055000J0G
Amphenol FCi
|
1 | Barrier Strip Terminal Block | TK10055000J0G |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
TK10058000J0G
Amphenol FCi
|
1 | Barrier Strip Terminal Block, | TK10058000J0G |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
TK100L60W(F)
Toshiba America Electronic Components
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 600V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET | TK100L60W(F) |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
TK100F04K3L
Toshiba America Electronic Components
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 40V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TK100F04K3L |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
TK10050000J0G
Amphenol FCi
|
1 | Barrier Strip Terminal Block | TK10050000J0G |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
TK100F04K3
Toshiba America Electronic Components
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 40V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TK100F04K3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
TK100L60W,VQ
Toshiba
|
1 | MOSFETs DTMOSIV 600V 18mOhm 100A 800W 15000pF | TK100L60W,VQ |
1
|
Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
TK100F06K3
Toshiba America Electronic Components
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 60V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TK100F06K3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
TK100F04K3(TE24L,Q)
Toshiba America Electronic Components
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TK100F04K3(TE24L,Q) |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
TK100F04K3L(TE24L,Q)
Toshiba America Electronic Components
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TK100F04K3L(TE24L,Q) |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
TK100S04N1L,LQ
Toshiba America Electronic Components
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 40V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TK100S04N1L,LQ |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
TK100F06K3(TE24L,Q)
Toshiba America Electronic Components
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TK100F06K3(TE24L,Q) |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
TK10056000J0G
Amphenol FCi
|
1 | Barrier Strip Terminal Block | TK10056000J0G |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
TK10054000J0G
Amphenol FCi
|
1 | Barrier Strip Terminal Block | TK10054000J0G |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
TK1005C000J0G
Amphenol FCi
|
1 | Barrier Strip Terminal Block | TK1005C000J0G |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
TK10053000J0G
Amphenol FCi
|
1 | Barrier Strip Terminal Block | TK10053000J0G |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
TK100F04K3(TE24L)
Toshiba America Electronic Components
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TK100F04K3(TE24L) |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
TK100F04K3L(TE24L)
Toshiba America Electronic Components
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TK100F04K3L(TE24L) |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
TK1005800000G
Amphenol Anytek
|
1 | Barrier Strip Terminal Block, 15A, 3.809mm2, 1 Row(s), 1 Deck(s) | TK1005800000G |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
TK100F06K3(TE24L)
Toshiba America Electronic Components
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TK100F06K3(TE24L) |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
TK100A06N1,S4X
Toshiba America Electronic Components
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 60V, 0.0027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | TK100A06N1,S4X |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
TK100A08N1,S4X
Toshiba America Electronic Components
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 80V, 0.0032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | TK100A08N1,S4X |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
TK10052000J0G
Amphenol FCi
|
1 | Barrier Strip Terminal Block | TK10052000J0G |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
TK100E08N1,S1X
Toshiba America Electronic Components
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 80V, 0.0032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | TK100E08N1,S1X |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||