Showing 25 of 56 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TMAT7LABC21-21A
CommScope Inc
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1 | DIPLEXER | TMAT7LABC21-21A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N60L-A-TMA-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | 2N60L-A-TMA-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N65LG-TMA-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 650V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 2N65LG-TMA-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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6N70L-P-TMA-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 700V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 6N70L-P-TMA-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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6N70G-P-TMA-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 700V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 6N70G-P-TMA-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N65L-TMA-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 650V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 2N65L-TMA-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TMAT7LABC-11A
CommScope Inc
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1 | Duplexer, 737MHz(Tx), 707MHz(Rx) | TMAT7LABC-11A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TMAT21X-11AV
CommScope Inc
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1 | Duplexer | TMAT21X-11AV |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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4N65G-Q-TMA-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 3.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 4N65G-Q-TMA-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PLCC-052-TM-A-TR
Samtec Inc
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1 | IC Socket, PLCC52, 52 Contact(s) | PLCC-052-TM-A-TR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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4N65L-Q-TMA-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 3.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 4N65L-Q-TMA-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N60LG-TMA-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 600V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 2N60LG-TMA-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1N65G-TMA-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 650V, 12.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 1N65G-TMA-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TMAT21X-11A
CommScope Inc
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1 | General Purpose Filter | TMAT21X-11A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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7N20G-TMA-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 200V, 0.69ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 7N20G-TMA-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TMAT23-11A
CommScope Inc
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1 | Duplexer, 2355MHz(Tx), 2310MHz(Rx) | TMAT23-11A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N60G-B-TMA-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | 2N60G-B-TMA-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TMAT1923B68-31-43
CommScope Inc
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1 | Duplexer | TMAT1923B68-31-43 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TMAT7UC8-11V
CommScope Inc
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1 | Duplexer | TMAT7UC8-11V |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N65G-TMA-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 650V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 2N65G-TMA-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N60L-E-TMA-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 600V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2N60L-E-TMA-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TMATDB1921B78IDA-V
CommScope Inc
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1 | Duplexer | TMATDB1921B78IDA-V |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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4N80G-TMA-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | 4N80G-TMA-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1N65L-TMA-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 650V, 12.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 1N65L-TMA-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N65LL-TMA-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 650V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 2N65LL-TMA-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||