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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TP65H070LDG
Transphorm Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 650V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Junction Cascode FET | TP65H070LDG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TP65H070G4LSGBEA-TR
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor | TP65H070G4LSGBEA-TR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TP65H480G4JSGB-TR
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor | TP65H480G4JSGB-TR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TP65H150BG4JSG-TR
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 650V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Metal-oxide Semiconductor FET | TP65H150BG4JSG-TR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TP65H150G4LSGBE-TR
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor | TP65H150G4LSGBE-TR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TP65H050BS
Transphorm Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor | TP65H050BS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TP65H300G4LSGBE-TR
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor | TP65H300G4LSGBE-TR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TP65H070LSG
Transphorm Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 650V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Junction Cascode FET | TP65H070LSG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TP65H070G4LSGB-TR
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 650V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Metal-oxide Semiconductor FET | TP65H070G4LSGB-TR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TP65H150G4LSGBE
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor | TP65H150G4LSGBE |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TP65H300G4LSG-TR
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 650V, 0.312ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Junction Cascode FET | TP65H300G4LSG-TR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TP65H035G4QS-TR
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 46.5A I(D), 650V, 0.041ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Metal-oxide Semiconductor FET | TP65H035G4QS-TR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TP65H070G4QS-TR
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TP65H070G4QS-TR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TP65H070LDG-TR
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 650V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Junction Cascode FET | TP65H070LDG-TR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TP65H100G4LSGB-TR
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18.9A I(D), 650V, 0.11ohm, 2-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Metal-oxide Semiconductor FET | TP65H100G4LSGB-TR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TP65H050G4QS-TR
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 650V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Metal-oxide Semiconductor FET | TP65H050G4QS-TR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TP65H050G4BS
Renesas Electronics
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1 | 650V 50mΩ SuperGaN FET in TO-263 (D2-PAK) | TP65H050G4BS |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TP65H300G4LSGB-TR
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 800V, 0.312ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Metal-oxide Semiconductor FET | TP65H300G4LSGB-TR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TP65H070G4RS-TR
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor | TP65H070G4RS-TR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TP65H070G4LSG-TR
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 650V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Metal-oxide Semiconductor FET | TP65H070G4LSG-TR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TP65H480G4JSG-TR
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor | TP65H480G4JSG-TR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TP65H300G4JSGB-TR
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 650V, 0.312ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Metal-oxide Semiconductor FET | TP65H300G4JSGB-TR |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TP65H150G4LSG-TR
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 650V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Metal-oxide Semiconductor FET | TP65H150G4LSG-TR |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TP65H035G4YS
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 46.5A I(D), 650V, 0.041ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | TP65H035G4YS |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TP65H030G4PQS
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor | TP65H030G4PQS |
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