Showing 25 of 132 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8124(TE12LQM)
Toshiba
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1 | MOSFET N-Ch -40V FET 4750pF -12A 1.9W | Small Outline Packages | TPC8124(TE12LQM) |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC816S1A RAG
Taiwan Semiconductor
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1 | Transistor Output Optocouplers Photocoupler DC input 70V 50mA | Small Outline Packages | TPC816S1A RAG |
2
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TPC817A C9G
Taiwan Semiconductor
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1 | Transistor Output Optocouplers VCEO=80V, IF=50m, CTR:80~160% DC Input Phototransistor | Dual-In-Line Packages | TPC817A C9G |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC816A C9G
Taiwan Semiconductor
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1 | Transistor Output Optocouplers Phototransistor DC input 70V 50mA | Dual-In-Line Packages | TPC816A C9G |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8124(TE12L,Q,M)
Toshiba
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1 | MOSFET X35 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR SOP-8(ALST) MOQ=3000 PD=1.9W F=1MHZ | Small Outline Packages | TPC8124(TE12L,Q,M) |
2
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TPC8118
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 0.015ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8118 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC816CC9G
Taiwan Semiconductor
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1 | Transistor Output Optocoupler | TPC816CC9G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8116-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 40V, 0.037ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8116-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC816DC9G
Taiwan Semiconductor
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1 | Transistor Output Optocoupler | TPC816DC9G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC817AC9G
Taiwan Semiconductor
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1 | Transistor Output Optocoupler, 1-Element, 5000V Isolation | TPC817AC9G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8112(TE12L,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 0.014ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8112(TE12L,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8104-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 0.12ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8104-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8116-H(TE12L,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 40V, 0.037ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8116-H(TE12L,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8116-H(TE12LQ,M)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 40V, 0.037ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8116-H(TE12LQ,M) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8111
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 0.018ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8111 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8126(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8126(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8134,LQ
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 40V, 0.066ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8134,LQ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC817S1BRAG
Taiwan Semiconductor
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1 | Transistor Output Optocoupler, 1-Element, 5000V Isolation | TPC817S1BRAG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8124(TE12L,V,M)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 40V, 0.01ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8124(TE12L,V,M) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8108
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8108 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8125,LQ
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | TPC8125,LQ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8118(TE12L
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 0.015ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8118(TE12L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8123
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 0.0125ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8123 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8125(TE12L,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8125(TE12L,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8133(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 40V, 0.018ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8133(TE12L) |
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