Showing 25 of 62 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8224-H,LQ(S
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 8A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8224-H,LQ(S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8201(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8201(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8221-H(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 6A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8221-H(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8201
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 0.08ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8201 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8213-H(TE12LQ,M)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 60V, 0.056ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8213-H(TE12LQ,M) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8229-H(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8229-H(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8213-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 60V, 0.056ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8213-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8202(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8202(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC82A18
STMicroelectronics
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1 | RVS Blocking BOD, 109V V(BO) Max, TO-220AB | TPC82A18 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8216-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 6.4A I(D), 30V, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8216-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8223-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 30V, 0.021ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8223-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8203
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 30V, 0.032ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8203 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC82B12
STMicroelectronics
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1 | RVS Blocking BOD, 99V V(BO) Max, TO-220AB | TPC82B12 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8218-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8218-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8218-H(TE12L,QM
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | TPC8218-H(TE12L,QM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8223-H(TE12L,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8223-H(TE12L,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8221-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 6A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8221-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8203(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,MATCHED PAIR,N-CHANNEL,30V V(BR)DSS,6A I(D),SO | TPC8203(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8221-H(TE12L,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 6A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8221-H(TE12L,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8228-H(TE12L,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8228-H(TE12L,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8229-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 80V, 0.087ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8229-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8209
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8209 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8229-H(TE12L,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8229-H(TE12L,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8202
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 20V, 0.07ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8202 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8208
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 20V, 0.1ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8208 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||