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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8009-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 150V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8009-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8009-H(TE12L,Q
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 150V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8009-H(TE12L,Q |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8025(TE12L1)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8025(TE12L1) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8010-H(TE12L,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8010-H(TE12L,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8006-H(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.067ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8006-H(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8121(TE12L1)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 30V, 0.004ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8121(TE12L1) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8060-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 30V, 0.0039ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8060-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8122
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 40V, 0.0072ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8122 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8020-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 40V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8020-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8104
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 60V, 0.024ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8104 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8003-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 30V, 0.0095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8003-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8026(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8026(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8026(TE12L1,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 30V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8026(TE12L1,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8008-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 250V, 0.58ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8008-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8068-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 30V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8068-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8120(TE12L,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 30V, 0.004ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8120(TE12L,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8025(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8025(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8058-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 30V, 0.0038ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8058-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8107-H(TE12L1)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 40V, 0.037ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8107-H(TE12L1) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8A08-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 30V, 0.0053ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8A08-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8131,LQ
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 0.022ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8131,LQ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8107-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 40V, 0.037ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8107-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8004-H(TE12LQM
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 30V, 0.0062ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8004-H(TE12LQM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8007-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8007-H |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8014-H(TE12L,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 40V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8014-H(TE12L,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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