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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCF8002
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 30V, 0.032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCF8002 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCF8004
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 30V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCF8004 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCF8101(TE85L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 6A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCF8101(TE85L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCF8107(TE85L,F)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 30V, 0.038ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCF8107(TE85L,F) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCF8003
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 7A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCF8003 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCF8001(TE85L,F)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | TPCF8001(TE85L,F) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCF8101(TE85L,F)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 6A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCF8101(TE85L,F) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCF8002(TE85L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCF8002(TE85L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCF8201(TE85L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 20V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCF8201(TE85L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCF8104(TE85L,F,M
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | TPCF8104(TE85L,F,M |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCF8B01(TE85L,F)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCF8B01(TE85L,F) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCF8303
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 20V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCF8303 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCF8105(TE85L,F)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 20V, 0.041ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCF8105(TE85L,F) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCF8B01(TE85L,F,M)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | TPCF8B01(TE85L,F,M) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCF8301(TE85L,F)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCF8301(TE85L,F) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCF8301
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 20V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCF8301 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCF8A01
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCF8A01 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCF8102
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 6A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCF8102 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCF8303(TE85L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCF8303(TE85L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCF8001
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 7A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCF8001 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCF8107(TE85L,F,M
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 30V, 0.038ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCF8107(TE85L,F,M |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCF8201(TE85L,F)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCF8201(TE85L,F) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCF8301(TE85L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCF8301(TE85L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCF8302(TE85L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCF8302(TE85L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCF8402(TE85L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), N-Channel and P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCF8402(TE85L) |
0
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