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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPH8R008NH
Toshiba
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1 | N-ch MOSFET, 80 V, 0.008 Ω@10V, SOP Advance, U-MOSⅧ-H | TPH8R008NH |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTPH825M20B(100)F
NIC Components Corp
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1 | Tantalum Capacitor, Polarized, Tantalum (solid Polymer), 20V, 20% +Tol, 20% -Tol, 8.2uF, Surface Mount, 1411 | NTPH825M20B(100)F |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPH8R80ANH,L1Q
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 59A I(D), 100V, 0.0088ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPH8R80ANH,L1Q |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SODTPH80
RPM Micro
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8.2A, 8000V V(RRM) | SODTPH80 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MWT-PH8
Littelfuse Inc
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1 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Electron Mobility FET | MWT-PH8 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2ATPH80
RPM Micro
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5.4A, 8000V V(RRM) | 2ATPH80 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPH8R008NH(TE12L1)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPH8R008NH(TE12L1) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPH8R808QM
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
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0 | N-ch MOSFET, 80 V, 52 A, 0.0088 Ω@10V, SOP Advance(N) | TPH8R808QM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPH8R008NH(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPH8R008NH(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPH80
RPM Micro
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1 | Rectifier Diode, 1 Element, 2.7A, 8000V V(RRM), | TPH80 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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