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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TXB-GC1810-30
Lockheed Martin Microwave
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1 | Variable Capacitance Diode, S Band, 5.6pF C(T), 90V, Silicon, Abrupt | TXB-GC1810-30 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TXB-GC1806-88
Lockheed Martin Microwave
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1 | Variable Capacitance Diode, S Band, 2.7pF C(T), 90V, Silicon, Abrupt | TXB-GC1806-88 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TXB-GC1800-89
Lockheed Martin Microwave
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1 | Variable Capacitance Diode, S Band, 0.8pF C(T), 90V, Silicon, Abrupt | TXB-GC1800-89 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TXB-GC1507-15
Lockheed Martin Microwave
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1 | Variable Capacitance Diode, X Band, 3.3pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt | TXB-GC1507-15 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TXB-GC1613-85
Lockheed Martin Microwave
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1 | Variable Capacitance Diode, X Band, 10pF C(T), 45V, Silicon, Abrupt | TXB-GC1613-85 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TXB-GC1716-85
Lockheed Martin Microwave
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1 | Variable Capacitance Diode, S Band, 18pF C(T), 60V, Silicon, Abrupt | TXB-GC1716-85 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TXB-GC1506-35
Lockheed Martin Microwave
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1 | Variable Capacitance Diode, X Band, 2.7pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt | TXB-GC1506-35 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TXB-GC1603-88
Lockheed Martin Microwave
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1 | Variable Capacitance Diode, X Band, 1.5pF C(T), 45V, Silicon, Abrupt | TXB-GC1603-88 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TXB-GC1719-55
Lockheed Martin Microwave
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1 | Variable Capacitance Diode, S Band, 33pF C(T), 60V, Silicon, Abrupt | TXB-GC1719-55 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TXB-GC1808-85
Lockheed Martin Microwave
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1 | Variable Capacitance Diode, S Band, 3.9pF C(T), 90V, Silicon, Abrupt | TXB-GC1808-85 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TXB-GC1811-36
Lockheed Martin Microwave
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1 | Variable Capacitance Diode, S Band, 6.8pF C(T), 90V, Silicon, Abrupt | TXB-GC1811-36 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TXB-GC1613-15
Lockheed Martin Microwave
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1 | Variable Capacitance Diode, X Band, 10pF C(T), 45V, Silicon, Abrupt | TXB-GC1613-15 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TXB-GC1802-89
Lockheed Martin Microwave
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1 | Variable Capacitance Diode, S Band, 1.2pF C(T), 90V, Silicon, Abrupt | TXB-GC1802-89 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TXB-GC1700A-85
Lockheed Martin Microwave
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1 | Variable Capacitance Diode, S Band, 0.6pF C(T), 60V, Silicon, Abrupt | TXB-GC1700A-85 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TXB-GC1507-35
Lockheed Martin Microwave
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1 | Variable Capacitance Diode, X Band, 3.3pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt | TXB-GC1507-35 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TXB-GC1812-30
Lockheed Martin Microwave
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1 | Variable Capacitance Diode, S Band, 8.2pF C(T), 90V, Silicon, Abrupt | TXB-GC1812-30 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TXB-GC51105-30
Lockheed Martin Microwave
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1 | Variable Capacitance Diode, C Band to KA Band, 0.95pF C(T), Gallium Arsenide, Abrupt | TXB-GC51105-30 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TXB-GC1503-36
Lockheed Martin Microwave
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1 | Variable Capacitance Diode, X Band, 1.5pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt | TXB-GC1503-36 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TXB-GC1600-30
Lockheed Martin Microwave
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1 | Variable Capacitance Diode, X Band, 0.8pF C(T), 45V, Silicon, Abrupt | TXB-GC1600-30 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TXB-GC1503-35
Lockheed Martin Microwave
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1 | Variable Capacitance Diode, X Band, 1.5pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt | TXB-GC1503-35 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TXB-GC1700A-80
Lockheed Martin Microwave
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1 | Variable Capacitance Diode, S Band, 0.6pF C(T), 60V, Silicon, Abrupt | TXB-GC1700A-80 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TXB-GC1510-30
Lockheed Martin Microwave
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1 | Variable Capacitance Diode, X Band, 5.6pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt | TXB-GC1510-30 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TXB-GC1600A-85
Lockheed Martin Microwave
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1 | Variable Capacitance Diode, X Band, 0.6pF C(T), 45V, Silicon, Abrupt | TXB-GC1600A-85 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TXB-GC1801-88
Lockheed Martin Microwave
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1 | Variable Capacitance Diode, S Band, 1pF C(T), 90V, Silicon, Abrupt | TXB-GC1801-88 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TXB-GC51106-80
Lockheed Martin Microwave
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1 | Variable Capacitance Diode, C Band to KA Band, 1.15pF C(T), Gallium Arsenide, Abrupt | TXB-GC51106-80 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||