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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA1727
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA1727 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA1758G
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 30V, 0.04ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA1758G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA1744TP
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA1744TP |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA1772G-E1-AT
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA1772G-E1-AT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA1774G-A
NEC Electronics Group
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 60V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA1774G-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA1706TP
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 30V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA1706TP |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA1764G(0)-E2-AT
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA1764G(0)-E2-AT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA1793G-A
NEC Electronics Group
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA1793G-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA1716G
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 30V, 0.026ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA1716G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA1764G(0)-E1-AZ
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA1764G(0)-E1-AZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA1727G-E1-AT
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA1727G-E1-AT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA1751
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 0.064ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA1751 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA1701
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 20V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA1701 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA1720G
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 30V, 0.038ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA1720G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA1703
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 0.017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA1703 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA1760G-E1-AT
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA1760G-E1-AT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA1758G-AZ
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 30V, 0.04ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA1758G-AZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA1727G-E2-AT
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA1727G-E2-AT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA1792G-E2
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA1792G-E2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA1724G-A
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 20V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA1724G-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA1709G-E2-A
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA1709G-E2-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA1730TP-AZ
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 30V, 0.015ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA1730TP-AZ |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA1756G-E1
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA1756G-E1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA1770G-E1-AT
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA1770G-E1-AT |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA1721G-E2-A
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA1721G-E2-A |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||