Showing 25 of 384 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA1901TE-T2-AT
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA1901TE-T2-AT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA1952TE-A
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 20V, 0.284ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA1952TE-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA1952TE-AT
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA1952TE-AT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA1914TE-A
Renesas Electronics Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA1914TE-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA1981TE-T1-A
Renesas Electronics Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA1981TE-T1-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA1916TE-T2-AT
Renesas Electronics Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA1916TE-T2-AT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA1981TE-T2-A
NEC Electronics Group
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA1981TE-T2-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA1900TE-A
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 20V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA1900TE-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA1918TE
Renesas Electronics Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA1918TE |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA1932TE-T2-AT
Renesas Electronics Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 6A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA1932TE-T2-AT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA1980TE
NEC Electronics America Inc
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA1980TE |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA1980TE-T2-A
Renesas Electronics Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA1980TE-T2-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA1913TE-A
Renesas Electronics Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA1913TE-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA1951TE-T1-AT
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA1951TE-T1-AT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA1910TE-T2-A
Renesas Electronics Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA1910TE-T2-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA1912TE-A
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 12V, 0.07ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA1912TE-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA1981TE-T1
Renesas Electronics Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA1981TE-T1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA1913TE-T1-A
Renesas Electronics Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA1913TE-T1-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA1913TE-AT
Renesas Electronics Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA1913TE-AT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA1914TE
Renesas Electronics Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA1914TE |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA1911ATE-A
NEC Electronics Group
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA1911ATE-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA1951TE
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 12V, 0.133ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA1951TE |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA1910TE-A
Renesas Electronics Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 12V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA1910TE-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA1930TE-T1-A
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA1930TE-T1-A |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA1970TE
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA1970TE |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||