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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT50N03VG-P3030-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UT50N03VG-P3030-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT50N25L-T3P-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 250V, 0.058ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UT50N25L-T3P-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT50N25L-TQ2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 250V, 0.058ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | UT50N25L-TQ2-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT50N03L-TND-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 25V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | UT50N03L-TND-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT50N03G-TM3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | UT50N03G-TM3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT50N06L-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | UT50N06L-TN3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT50N04L-TQ2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, | UT50N04L-TQ2-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT50N03G-TND-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 25V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | UT50N03G-TND-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT50N04G-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 40V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | UT50N04G-TN3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT50N04L-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 40V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | UT50N04L-TN3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT50N25L-T47-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 250V, 0.058ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | UT50N25L-T47-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT50N04L-TQ2-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 40V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | UT50N04L-TQ2-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT50N06L-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | UT50N06L-TF1-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT50N03L-TND-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | UT50N03L-TND-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT50N03-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 25V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | UT50N03-TN3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT50N03-TN3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 25V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | UT50N03-TN3-T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT50N25G-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 250V, 0.058ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | UT50N25G-TA3-T |
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UT50N25L-TQ2-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 250V, 0.058ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | UT50N25L-TQ2-R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT50N25G-TQ2-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 250V, 0.058ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | UT50N25G-TQ2-R |
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