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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT50P06L-TF3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.015ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | UTT50P06L-TF3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT50P06G-TF3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.015ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | UTT50P06G-TF3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT50N06HL-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | UTT50N06HL-TN3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT50N03LK-K08-3030-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.0088ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UTT50N03LK-K08-3030-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT50N06MG-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, TO-220AB | UTT50N06MG-TA3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT50N15MG-TQ2-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 150V, 0.046ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, TO-263AB | UTT50N15MG-TQ2-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT50N06MG-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, TO-220AB | UTT50N06MG-TF1-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT50P10G-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | UTT50P10G-TA3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT50N06ML-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, TO-220AB | UTT50N06ML-TA3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT50N06MG-K08-5060-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET | UTT50N06MG-K08-5060-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT50P10L-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | UTT50P10L-TA3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT50N06G-TF3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | UTT50N06G-TF3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT50N06G-K08-5060-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UTT50N06G-K08-5060-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT50N06G-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | UTT50N06G-TF1-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT50N06MG-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, TO-252 | UTT50N06MG-TN3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT50N06G-TN3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | UTT50N06G-TN3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT50P06G-TQ2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.015ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | UTT50P06G-TQ2-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT50N06ML-TM3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, TO-251 | UTT50N06ML-TM3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT50N15ML-TQ2-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 150V, 0.046ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, TO-263AB | UTT50N15ML-TQ2-R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT50N03LG-K08-5060-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.0088ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UTT50N03LG-K08-5060-R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT50P06G-TN3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.025ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | UTT50P06G-TN3-T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT50P06L-TN3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.025ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | UTT50P06L-TN3-T |
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UTT50N06L-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | UTT50N06L-TF1-T |
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UTT50P06G-T2Q-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.015ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | UTT50P06G-T2Q-R |
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UTT50N03LG-K08-3030-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.0088ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UTT50N03LG-K08-3030-R |
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