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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT80N06G-TQ2-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | UTT80N06G-TQ2-R |
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UTT80N06L-TND-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 60V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | UTT80N06L-TND-R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT80N10HG-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 100V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, TO-220AB | UTT80N10HG-TA3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT80N07G-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 70V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, TO-220AB | UTT80N07G-TA3-T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT80N06G-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 60V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | UTT80N06G-TA3-T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT80N08HL-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 80V, 0.0105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, TO-220AB | UTT80N08HL-TA3-T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT80N08MG-TM3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 80V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, TO-251 | UTT80N08MG-TM3-T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT80N10HG-T47-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 100V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, TO-247 | UTT80N10HG-T47-T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT80N75G-TN3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 75V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | UTT80N75G-TN3-T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT80N07L-K08-5060-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 70V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET | UTT80N07L-K08-5060-R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT80N06G-S08-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 60V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UTT80N06G-S08-R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT80N10HL-TF3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 100V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, TO-220AB | UTT80N10HL-TF3-T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT80N07G-K08-5060-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 70V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET | UTT80N07G-K08-5060-R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT80N10G-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 100V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | UTT80N10G-TA3-T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT80N06L-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 60V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | UTT80N06L-TA3-T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT80N08G-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | UTT80N08G-TA3-T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT80N06HL-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 60V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | UTT80N06HL-TA3-T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT80N06G-TQ2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | UTT80N06G-TQ2-T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT80N10HL-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 100V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, TO-220AB | UTT80N10HL-TA3-T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT80N75L-TM3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 75V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | UTT80N75L-TM3-T |
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UTT80N10HL-T3N-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 100V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET | UTT80N10HL-T3N-T |
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UTT80N06HL-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 60V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | UTT80N06HL-TN3-R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT80N08HG-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 80V, 0.0105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, TO-220AB | UTT80N08HG-TA3-T |
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UTT80N10HG-K08-5060-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 100V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET | UTT80N10HG-K08-5060-R |
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UTT80N06G-TN3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 60V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | UTT80N06G-TN3-T |
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