Showing 25 of 52 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
WSJM65R360
WeEn Semiconductor Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 650V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-220AB | WSJM65R360 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
WSJM65R044DW
WeEn Semiconductor Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 67A I(D), 650V, 0.044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-247 | WSJM65R044DW |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
WSJM65R044DWQ
WeEn Semiconductor Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 67A I(D), 650V, 0.044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-247 | WSJM65R044DWQ |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
WSJM65R170X
WeEn Semiconductor Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 650V, 0.17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-220AB | WSJM65R170X |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
WSJM65R360SJ
WeEn Semiconductor Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 650V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-252 | WSJM65R360SJ |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
WSJM65R099DB
WeEn Semiconductor Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 650V, 0.099ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-263 | WSJM65R099DB |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
WSJM65R170TL
WeEn Semiconductor Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 650V, 0.17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET | WSJM65R170TL |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
WSJM65R099D
WeEn Semiconductor Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 650V, 0.099ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-220AB | WSJM65R099D |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
WSJM65R600X
WeEn Semiconductor Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 650V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-220AB | WSJM65R600X |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
WSJM65R600S
WeEn Semiconductor Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 650V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-252 | WSJM65R600S |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
WSJM65R120
WeEn Semiconductor Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 650V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-220AB | WSJM65R120 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
WSJM65R099DTL
WeEn Semiconductor Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 650V, 0.099ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET | WSJM65R099DTL |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
WSJM65R260X
WeEn Semiconductor Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 650V, 0.26ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-220AB | WSJM65R260X |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
WSJM65R120XQ
WeEn Semiconductor Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 650V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-220AB | WSJM65R120XQ |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
WSJM65R600XQ
WeEn Semiconductor Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 650V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-220AB | WSJM65R600XQ |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
WSJM65R120X
WeEn Semiconductor Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 650V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-220AB | WSJM65R120X |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
WSJM65R170BJ
WeEn Semiconductor Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 650V, 0.17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-263AB | WSJM65R170BJ |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
WSJM65R099DW
WeEn Semiconductor Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 650V, 0.099ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-247 | WSJM65R099DW |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
WSJM65R120WQ
WeEn Semiconductor Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor | WSJM65R120WQ |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
WSJM65R600SJ
WeEn Semiconductor Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 650V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-252 | WSJM65R600SJ |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
WSJM65R120BJ
WeEn Semiconductor Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 650V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-263 | WSJM65R120BJ |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
WSJM65R120Q
WeEn Semiconductor Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 650V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-220AB | WSJM65R120Q |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
WSJM65R170Q
WeEn Semiconductor Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 650V, 0.17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-220AB | WSJM65R170Q |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
WSJM65R600UQ
WeEn Semiconductor Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor | WSJM65R600UQ |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
WSJM65R120B
WeEn Semiconductor Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 650V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-263 | WSJM65R120B |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||