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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IXFK220N17T2
IXYS Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 220A I(D), 170V, 0.0063ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA | IXFK220N17T2 |
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IXFK200N10P
IXYS Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 200A I(D), 100V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA | IXFK200N10P |
0
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IXFK230N20T
IXYS Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 230A I(D), 200V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA | IXFK230N20T |
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IXFK25N90
IXYS Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 900V, 0.33ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264 | IXFK25N90 |
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IXFK220N15P
IXYS Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 220A I(D), 150V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA | IXFK220N15P |
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IXFK220N20X3
IXYS Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor | IXFK220N20X3 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IXFK26N90
IXYS Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 900V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264 | IXFK26N90 |
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IXFK20N80Q
IXYS Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 800V, 0.42ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA | IXFK20N80Q |
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XFK2-RC
Aeroflex Signal & Control Solutions
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1 | Transfer Switch, 12000MHz Min, 18000MHz Max, 3dB Insertion Loss-Max | XFK2-RC |
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IXFK250N10P
IXYS Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 250A I(D), 100V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA | IXFK250N10P |
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IXFK24N100Q3
IXYS Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 1000V, 0.44ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA | IXFK24N100Q3 |
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IXFK24N100F
IXYS Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 1000V, 0.0039ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA | IXFK24N100F |
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IXFK24N120Q2
Littelfuse Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 1200V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA | IXFK24N120Q2 |
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XFK2-H
Aeroflex Signal & Control Solutions
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1 | Transfer Switch, 12000MHz Min, 18000MHz Max, 3dB Insertion Loss-Max, HERMETIC SEALED, CASE XF | XFK2-H |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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XFK2
Cobham PLC
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1 | Transfer Switch, 12000MHz Min, 18000MHz Max, 3dB Insertion Loss-Max | XFK2 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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XFK2-RC
Cobham PLC
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1 | Transfer Switch, 12000MHz Min, 18000MHz Max, 3dB Insertion Loss-Max | XFK2-RC |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IXFK210N30X3
IXYS Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 210A I(D), 300V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA | IXFK210N30X3 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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XFK2-12-H
Cobham PLC
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1 | Transfer Switch, 12000MHz Min, 18000MHz Max, 3dB Insertion Loss-Max | XFK2-12-H |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IXFK21N100F
IXYS Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 1000V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA | IXFK21N100F |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IXFK220N15P
LITTELFUSE
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1 | Power Field-Effect Transistor, 220A I(D), 150V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA | IXFK220N15P |
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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XFK2H
Cobham PLC
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1 | Transfer Switch, 12000MHz Min, 18000MHz Max, 3dB Insertion Loss-Max, HERMETIC SEALED, CASE X1-2 | XFK2H |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IXFK27N80
IXYS Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 800V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA | IXFK27N80 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IXFK24N120Q2
IXYS Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 1200V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA | IXFK24N120Q2 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IXFK26N100P
IXYS Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 1000V, 0.39ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA | IXFK26N100P |
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IXFK26N60Q
IXYS Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 600V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA | IXFK26N60Q |
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