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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF743-009
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.3A I(D), 350V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | IRF743-009 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF7433TR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.9A I(D), 12V, 0.024ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, SO-8 | IRF7433TR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF744-015PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.8A I(D), 450V, 0.63ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF744-015PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF741-012
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 350V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | IRF741-012 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF7464PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 200V, 0.73ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, LEAD FREE, SO-8 | IRF7464PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF741-005PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 350V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF741-005PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF741
Intersil Corporation
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,350V V(BR)DSS,10A I(D),TO-220AB | IRF741 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF743
General Electric Solid State
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1 | Transistor | IRF743 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF742-006PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 8.3A, 400V, 0.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRF742-006PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF744-024
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.8A I(D), 450V, 0.63ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF744-024 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF7465TR
Infineon Technologies AG
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 150V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, SO-8 | IRF7465TR |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF741-006PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 10A, 350V, 0.55ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRF741-006PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF7476
International Rectifier
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 15A I(D), 12V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, SO-8 | IRF7476 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF7475TRPBF
International Rectifier
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1 | Transistor | IRF7475TRPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF7425PBF-1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 20V, 0.0082ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SOP-8 | IRF7425PBF-1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF740-024PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 400V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF740-024PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF744-019
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.8A I(D), 450V, 0.63ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF744-019 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF740LC-029
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 400V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, | IRF740LC-029 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF7406PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.7A I(D), 30V, 0.045ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, LEAD FREE, SO-8 | IRF7406PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF741-005
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 350V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | IRF741-005 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF740AL
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 400V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, TO-262, I2PAK-3 | IRF740AL |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF740WC
Motorola Mobility LLC
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1 | 10A, 400V, 0.55ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | IRF740WC |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF7404QTRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF7404QTRPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF7421D1TR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.8A I(D), 30V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, SO-8 | IRF7421D1TR |
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IRF741-009
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 350V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF741-009 |
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