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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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S2M2600000RCS3JB
Hong Kong X'Tals Ltd
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1 | Series - 3Rd Overtone Quartz Crystal, 26MHz Max, 26MHz Nom | S2M2600000RCS3JB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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S4M6886000ECS3JB
Hong Kong X'Tals Ltd
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1 | Series - 3Rd Overtone Quartz Crystal, 68.86MHz Max, 68.86MHz Nom | S4M6886000ECS3JB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HC49US3-JB0F18-5.990
ILSI America LLC
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1 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 5.99MHz Nom | HC49US3-JB0F18-5.990 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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S4M26000002CS3JB
Hong Kong X'Tals Ltd
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1 | Series - 3Rd Overtone Quartz Crystal, 26MHz Max, 26MHz Nom | S4M26000002CS3JB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WWS3JB2K40
SEI Stackpole Electronics Inc
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 3.2W, 2400ohm, 5% +/-Tol, 20ppm/Cel, Through Hole Mount, AXIAL | WWS3JB2K40 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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US3JF/US3JBF
Microdiode Semiconductor (MDD)
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1 | Reverse voltage 50-1000V, forward current 3.0A, 94V-0 flammability, high efficiency, low reverse leakage, strain relief, high surge current, 250°C/10s soldering, SMAF case, 0.064g. | US3JF/US3JBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RS3JB
SUNMATE electronic Co., LTD
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1 | 3.0A surface mount fast recovery rectifier diode with 50V to 1000V repetitive peak reverse voltage, low forward voltage drop, and fast recovery time in SMB/DO-214AA package suitable for high efficiency applications. | RS3JB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RS3JB
Shandong Jingdao Microelectronics Co Ltd
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1 | Surface Mount Fast Recovery Rectifiers in SMB package, with reverse voltage ratings from 50 to 1000 V, 3 A forward current, fast reverse recovery time, and glass passivated junction, suitable for surface mounted applications. | RS3JB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GS3JB
SUNMATE electronic Co., LTD
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1 | Surface mount silicon rectifier diode in SMB/DO-214AA package, 3.0 A average rectified current, 50 to 1000 V DC blocking voltage, 1.20 V forward voltage at 3.0 A, operating temperature from -65 to +150 °C.Surface mount silicon rectifier diode in SMB/DO-214AA package, 3.0 A average rectified current, 50 to 1000 V blocking voltage, 1.20 V forward voltage at 3.0 A, operating temperature from -65 to +150 °C.Surface mount silicon rectifier diode GS3AB in SMB/DO-214AA package, rated for 50 to 1000 V repetitive reverse voltage, 3.0 A average rectified current, with low forward voltage drop of 1.20 V at 3.0 A and 100 A peak surge current.Surface mount silicon rectifier diode in SMB/DO-214AA package, 3.0 A average rectified current, 50 to 1000 V DC blocking voltage, 1.20 V forward voltage at 3.0 A, operating temperature from -65 to +150 °C.Surface mount silicon rectifier diode in SMB/DO-214AA package, 3.0 A average rectified current, 50 to 1000 V DC blocking voltage, 1.20 V forward voltage at 3.0 A, operating temperature from -65 to +150 °C. | GS3JB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HC49US3-JB3F18-20.000
ILSI America LLC
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1 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 20MHz Nom | HC49US3-JB3F18-20.000 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HC49US3-JB1F18-3.990
ILSI America LLC
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1 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 3.99MHz Nom | HC49US3-JB1F18-3.990 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MRS3JBR130
SEI Stackpole Electronics Inc
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1 | Fixed Resistor, Metal Alloy, 3W, 0.13ohm, 5% +/-Tol, -50,50ppm/Cel, | MRS3JBR130 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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S3M6886000RCS3JB
Hong Kong X'Tals Ltd
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1 | Series - 3Rd Overtone Quartz Crystal, 68.86MHz Max, 68.86MHz Nom | S3M6886000RCS3JB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SS10000000GCS3JB
Hong Kong X'Tals Ltd
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1 | Series - 3Rd Overtone Quartz Crystal, 100MHz Max, 100MHz Nom | SS10000000GCS3JB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HS3JBF2
Yangzhou Yangjie Electronics Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 600V V(RRM), Silicon, DO-214AA | HS3JBF2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ES3JBF
Galaxy Microelectronics
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 600V V(RRM), Silicon | ES3JBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WWS3JB180R
Stackpole Electronics, Inc.
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1 | RES, WW, 3W, 180 ohm, 5% | WWS3JB180R |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HC49US3-JB1318-100.000
ILSI America LLC
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1 | Parallel - 3Rd Overtone Quartz Crystal, 100MHz Nom, GREEN, METAL, HC49US, 2 PIN | HC49US3-JB1318-100.000 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WWS3JB30R0
SEI Stackpole Electronics Inc
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 3.2W, 30ohm, 5% +/-Tol, 20ppm/Cel, Through Hole Mount, AXIAL | WWS3JB30R0 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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S2M26000003CS3JB
Hong Kong X'Tals Ltd
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1 | Series - 3Rd Overtone Quartz Crystal, 26MHz Max, 26MHz Nom | S2M26000003CS3JB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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S2100000004CS3JB
Hong Kong X'Tals Ltd
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1 | Series - 3Rd Overtone Quartz Crystal, 100MHz Max, 100MHz Nom | S2100000004CS3JB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NWWS3JB9R10
SEI Stackpole Electronics Inc
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 3.2W, 9.1ohm, 5% +/-Tol, 50ppm/Cel, Through Hole Mount, AXIAL | NWWS3JB9R10 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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S2M26000004CS3JB
Hong Kong X'Tals Ltd
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1 | Series - 3Rd Overtone Quartz Crystal, 26MHz Max, 26MHz Nom | S2M26000004CS3JB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HS3JBHR5G
Taiwan Semiconductor
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 600V V(RRM), Silicon, DO-214AA | HS3JBHR5G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HC49US3-JB9F18-36.000
ILSI America LLC
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1 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 36MHz Nom | HC49US3-JB9F18-36.000 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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