Showing 25 of 115 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N65G-CB-TMS4-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 650V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 2N65G-CB-TMS4-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N65G-CBS-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 650V, 9.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2N65G-CBS-TF1-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N65G-CB-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 650V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2N65G-CB-TF1-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N65G-TC-TM3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 650V, 4.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 2N65G-TC-TM3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N65G-C-TMS-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 650V, 5.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 2N65G-C-TMS-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N65G-CBS-TF3T-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 650V, 9.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2N65G-CBS-TF3T-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N65G-C-TND-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 650V, 5.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | 2N65G-C-TND-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N65G-TF2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 650V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2N65G-TF2-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N65G-CBS-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 650V, 9.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | 2N65G-CBS-TN3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N65G-TF3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 650V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2N65G-TF3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N65G-CB-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 650V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2N65G-CB-TA3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N65G-CBS-TF2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 650V, 9.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2N65G-CBS-TF2-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N65G-CB-AA3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 650V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2N65G-CB-AA3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N65G-CB-TMS2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 650V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 2N65G-CB-TMS2-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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XE52N65GH-135.000MHZ
Xsis Electronics Inc
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1 | LVHCMOS Output Clock Oscillator, 135MHz Nom | XE52N65GH-135.000MHZ |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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22N65G-T47-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 650V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | 22N65G-T47-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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XE42-N65G-24.000MHZ
Xsis Electronics Inc
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1 | LVHCMOS Output Clock Oscillator, 24MHz Nom, Hybrid | XE42-N65G-24.000MHZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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XE42-N65G-H-135.000MHZ
Xsis Electronics Inc
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1 | LVHCMOS Output Clock Oscillator, 135MHz Nom, Hybrid | XE42-N65G-H-135.000MHZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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XE42-N65G-H-0.250MHZ
Xsis Electronics Inc
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1 | LVHCMOS Output Clock Oscillator, 0.25MHz Nom, Hybrid | XE42-N65G-H-0.250MHZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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12N65G-TC-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 650V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 12N65G-TC-TF1-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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XE52N65G-135.000MHZ
Xsis Electronics Inc
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1 | LVHCMOS Output Clock Oscillator, 135MHz Nom | XE52N65G-135.000MHZ |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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XE52N65GH-40.000MHZ
Xsis Electronics Inc
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1 | LVHCMOS Output Clock Oscillator, 40MHz Nom | XE52N65GH-40.000MHZ |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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12N65G-C-TF3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 650V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 12N65G-C-TF3-T |
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12N65G-TQ2-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 650V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | 12N65G-TQ2-R |
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12N65G-TQ2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 650V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | 12N65G-TQ2-T |
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