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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6660
Fairchild Semiconductor Corporation
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0 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, | 2N6660 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6667
General Electric Solid State
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1 | Transistor, | 2N6667 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6668W
Motorola Mobility LLC
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1 | 10A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB | 2N6668W |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6666
Microsemi Corporation
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1 | Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 40V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-220, Plastic/Epoxy, 2 Pin, | 2N6666 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6661N2
Supertex Inc
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1 | Transistor, | 2N6661N2 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6668-6263
Harris Semiconductor
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1 | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin | 2N6668-6263 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6660
Vishay
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1 | Transistor,MOSFET,N Channel,2N | 2N6660 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6666
NTE ELECTRONICS
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1 | TRANSISTOR PNP SILICON-DARLINGTON BVCEO=40V IC=10A FOR GENERAL PURPOSE AMPLIFIER AND SWITCHING | 2N6666 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6668
onsemi
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1 | Obsolete - Power 8A 80V Darlington PNP | 2N6668 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6661
Vishay
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2N6661 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6660
TT Electronics
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AD, HERMETIC SEALED, METAL, TO-39, 3 PIN | 2N6660 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6667AU
onsemi
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1 | TRANSISTOR 10 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB, 3 PIN, BIP General Purpose Power | 2N6667AU |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6661-220MR1
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 0.9A, 90V, 4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220M, 3 PIN | 2N6661-220MR1 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6661
Intersil Corporation
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1 | 2000mA, 90V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-39, TO-39, 3 PIN | 2N6661 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6667BU
onsemi
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1 | TRANSISTOR 10 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB, 3 PIN, BIP General Purpose Power | 2N6667BU |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6661
NXP Semiconductors
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1 | 900mA, 90V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-39, TO-39, 3 PIN | 2N6661 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6668AF
onsemi
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1 | 10A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB, 3 PIN | 2N6668AF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6666
Advanced Semiconductor Inc
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1 | Transistor | 2N6666 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6660-JQR
TT Electronics Resistors
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AD, HERMETIC SEALED, METAL, TO-39, 3 PIN | 2N6660-JQR |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6660C4A-JQRS.CVP
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 1000mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HERMETIC SEALED PACKAGE-18 | 2N6660C4A-JQRS.CVP |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6668AS
onsemi
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1 | 10A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB, 3 PIN | 2N6668AS |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6666-6226
Harris Semiconductor
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1 | Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin | 2N6666-6226 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6660
Harris Semiconductor
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0 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2N6660 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6661CSM4
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.9A I(D), 90V, 5.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-041BA, LCC3-4 | 2N6661CSM4 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6668C
Motorola Semiconductor Products
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1 | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin | 2N6668C |
0
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