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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6789LCC4
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 3.5A, 150V, 0.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LCC4-15 | 2N6789LCC4 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6782TXV
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | 2N6782TXV |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N678B
Semitronics Corp
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1 | Transistor, | 2N678B |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6788TX
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | 2N6788TX |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6786
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.25A I(D), 400V, 3.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | 2N6786 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6788
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 100V, 0.345ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, TO-39, 3 PIN | 2N6788 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6788E
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, | 2N6788E |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6786U
Microsemi Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | 2N6786U |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6785
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, | 2N6785 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6788EAPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | 2N6788EAPBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6788SM
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 6A, 100V, 1.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, HERMETIC SEALED, CERAMIC, TO-220SM, 3 PIN | 2N6788SM |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6788SM
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 100V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, CERAMIC, TO-220SM, 3 PIN | 2N6788SM |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6787-SM
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 6A, 60V, 1.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, HERMETIC SEALED, CERAMIC, TO-220SM, 3 PIN | 2N6787-SM |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6784
Infineon
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.25A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, | 2N6784 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6784
Microsemi Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.25A I(D), 200V, 2.81ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, TO-39, 3 PIN | 2N6784 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6782U
Microsemi Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 100V, 0.61ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, CERAMIC, LCC-18 | 2N6782U |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6789LCC4-JQR-AE4
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 3.5A, 150V, 0.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LCC4-15 | 2N6789LCC4-JQR-AE4 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6784LCC4-JQR-B
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 2.25A, 200V, 1.725ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, METAL, TO-39, 3 PIN | 2N6784LCC4-JQR-B |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6789LCC4
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 150V, 0.8ohm, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LCC4-15 | 2N6789LCC4 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6785
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.25A I(D), 350V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-39, | 2N6785 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6787LCC4-JQR-A
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 6A, 60V, 1.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LCC4-15 | 2N6787LCC4-JQR-A |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6787LCC4-JQR-A
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 60V, 1.8ohm, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LCC4-15 | 2N6787LCC4-JQR-A |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6788
General Electric Solid State
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1 | Transistor | 2N6788 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6785R1
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 1.25A, 350V, 3.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-39 | 2N6785R1 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6786
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 1.25A, 400V, 3.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, METAL, TO-39, 3 PIN | 2N6786 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||