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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6791
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, | 2N6791 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6790
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, | 2N6790 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6792R1
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 400V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, TO-39, 3 PIN | 2N6792R1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6791LCC4
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 350V, 1.8ohm, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LCC4-15 | 2N6791LCC4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6790EA
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, | 2N6790EA |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6792
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 400V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | 2N6792 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6798
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 5.5A, 200V, 4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, METAL, TO-39, 3 PIN | 2N6798 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6790TXV
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | 2N6790TXV |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6794-QR-B
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 1.5A, 500V, 3.45ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, TO-39, 3 PIN | 2N6794-QR-B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6792R1
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 2A, 400V, 1.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF, TO-39, 3 PIN | 2N6792R1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6790EBPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | 2N6790EBPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6794TXV
Intersil Corporation
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1 | 1.5A, 500V, 3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF | 2N6794TXV |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6792
Microsemi Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, | 2N6792 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6798
Omnirel Corp
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 0.42ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205, HERMETIC SEALED, TO-205, 3 PIN | 2N6798 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6791LCC4-JQR-AE4
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 2A, 350V, 1.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LCC4-15 | 2N6791LCC4-JQR-AE4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6793
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, | 2N6793 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6796
Microsemi Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 8A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, TO-39, 3 PIN | 2N6796 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6795
Microsemi Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2N6795 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6796LCC4-QR-B
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.4A I(D), 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, CERAMIC, LCC-18 | 2N6796LCC4-QR-B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6790EAPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | 2N6790EAPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6798E3
Microsemi Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, ROHS COMPLIANT, TO-39, 3 PIN | 2N6798E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6798EAPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | 2N6798EAPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6794
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 500V, 3.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, TO-39, 3 PIN | 2N6794 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6798SCC5205/019
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, | 2N6798SCC5205/019 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6797
Microsemi Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2N6797 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||