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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6806
IXYS Corporation
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1 | Transistor | 2N6806 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6800SCC5205/019PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | 2N6800SCC5205/019PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6802
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 1.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | 2N6802 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6801LCC4-JQR-B
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 2.5A, 450V, 1.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | 2N6801LCC4-JQR-B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6801LCC4-JQR-B
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 450V, 1.5ohm, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2N6801LCC4-JQR-B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6800EBPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | 2N6800EBPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6804PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA | 2N6804PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6800EB
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | 2N6800EB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6802.MODR1
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 1.725ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | 2N6802.MODR1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6802
Freescale Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2N6802 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6802
Unitrode Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | 2N6802 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6802
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 1.725ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | 2N6802 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6800TX
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | 2N6800TX |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6802LCC4-JQR-A
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 1.725ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | 2N6802LCC4-JQR-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6802LCC4-JQR-A
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 1.725ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | 2N6802LCC4-JQR-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6804
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA | 2N6804 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6804
Intersil Corporation
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1 | Transistor | 2N6804 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6802
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2N6802 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6800LCC4-JQR-B
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | 2N6800LCC4-JQR-B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6800PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 400V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | 2N6800PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6800ED
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | 2N6800ED |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6800
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2N6800 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6802.MOD
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 1.725ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | 2N6802.MOD |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6800TXV
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | 2N6800TXV |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6802
Omnirel Corp
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 1.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205 | 2N6802 |
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