Showing 25 of 185 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANS2N7382
Defense Logistics Agency
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | JANS2N7382 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANTXVF2N7381
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | JANTXVF2N7381 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANSD2N7382
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | JANSD2N7382 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANHCBF2N7382
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | JANHCBF2N7382 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANS2N7382
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | JANS2N7382 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANTXVF2N7381
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | JANTXVF2N7381 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANS2N7383
Defense Logistics Agency
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 200V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | JANS2N7383 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANSF2N7380
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14.4A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | JANSF2N7380 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANKCAH2N7381
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 1-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | JANKCAH2N7381 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANSF2N7389
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | JANSF2N7389 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANSH2N7380
Defense Logistics Agency
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14.4A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | JANSH2N7380 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANTXV2N7389
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 100V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | JANTXV2N7389 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANSF2N7381
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 200V, 0.49ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | JANSF2N7381 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANSF2N7389
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | JANSF2N7389 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANKCBF2N7389
Microchip Technology Inc
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | JANKCBF2N7389 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANSR2N7381
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 200V, 0.49ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | JANSR2N7381 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANSG2N7381
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 200V, 0.49ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | JANSG2N7381 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANTXVF2N7383
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 200V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | JANTXVF2N7383 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANTXV2N7389
Defense Logistics Agency
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 100V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | JANTXV2N7389 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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VH2N7381
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | VH2N7381 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANSF2N7381
Defense Logistics Agency
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 200V, 0.49ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | JANSF2N7381 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANS2N7381
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | JANS2N7381 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANTXVF2N7381
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | JANTXVF2N7381 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANSR2N7381
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 200V, 0.49ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | JANSR2N7381 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANS2N7383
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 200V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | JANS2N7383 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||