Showing 25 of 1430 results
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ333(L)
Renesas Electronics Corporation
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1 | 7A, 30V, 0.22ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, DPAK-3 | 2SJ333(L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ330
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.05ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ330 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ337TP-FA
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 8A I(D), 12V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TP-FA, 4 PIN | 2SJ337TP-FA |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ338TE16R
Toshiba America Electronic Components
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1 | TRANSISTOR 1 A, 180 V, 5 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power | 2SJ338TE16R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ338-O(2-7B1B)
Toshiba America Electronic Components
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1 | TRANSISTOR 1 A, 180 V, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, 2-7B1B, SC-64, 3 PIN, FET General Purpose Power | 2SJ338-O(2-7B1B) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ335-TD
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 12V, 2.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-243 | 2SJ335-TD |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ331-A
Renesas Electronics
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1 | The 2SJ331 is a Switching P-Channel Power MOSFET. | 2SJ331-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ333(S)TL
Renesas Electronics Corporation
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1 | 7A, 30V, 0.2ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | 2SJ333(S)TL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ330(0)-AZ
Renesas Electronics Corporation
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,60V V(BR)DSS,20A I(D),TO-220VAR | 2SJ330(0)-AZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ330
Renesas Electronics Corporation
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1 | 20 A, 60 V, 0.05 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | 2SJ330 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ337-TR
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 12V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | 2SJ337-TR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ336TL
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 12V, 0.35ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 2SJ336TL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ332S
Renesas Electronics Corporation
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1 | 10A, 20V, 0.14ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, DPAK-3 | 2SJ332S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ332S
Hitachi Ltd
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1 | 10A, 20V, 0.14ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, DPAK-3 | 2SJ332S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ332L
Hitachi Ltd
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1 | 10A, 20V, 0.14ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, DPAK-3 | 2SJ332L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ339
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 60V, 0.055ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220ML, 3 PIN | 2SJ339 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ332(S)TL
Renesas Electronics Corporation
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1 | 10 A, 20 V, 0.14 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | 2SJ332(S)TL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ339-RA
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 60V, 0.04ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | 2SJ339-RA |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ338-O(2-7B2B)
Toshiba America Electronic Components
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1 | TRANSISTOR 1 A, 180 V, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, SC-64, 3 PIN, FET General Purpose Power | 2SJ338-O(2-7B2B) |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ338(2-7B1B)
Toshiba America Electronic Components
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1 | TRANSISTOR 1 A, 180 V, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, 2-7B1B, SC-64, 3 PIN, FET General Purpose Power | 2SJ338(2-7B1B) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ333L
Renesas Electronics Corporation
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1 | 7A, 30V, 0.22ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, DPAK-3 | 2SJ333L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ336
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 12V, 0.35ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TP, 3 PIN | 2SJ336 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ337
onsemi
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,12V V(BR)DSS,8A I(D),TO-251 | 2SJ337 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ331
Renesas Electronics Corporation
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1 | 30A, 60V, 0.03ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3P, MP-88, 3 PIN | 2SJ331 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ339-RB
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 60V, 0.04ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | 2SJ339-RB |
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