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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ528(S)-(1)
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ528(S)-(1) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ529S-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.24ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ529S-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ529(S)-(3)
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ529(S)-(3) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ528S
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 60V, 0.37ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ528S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ520TP-FA
SANYO Electric Co Ltd
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1 | 10000mA, 20V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TP-FA, 4 PIN | 2SJ520TP-FA |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ529(S)-(3)
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ529(S)-(3) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ522
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 400V, 2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ522 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ527(L)
Renesas Electronics Corporation
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1 | 0.8ohm, POWER, FET, DPAK-3 | 2SJ527(L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ522FD
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ522FD |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ529(S)-(2)
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ529(S)-(2) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ526
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 0.23ohm, 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ526 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ527(S)-(2)
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ527(S)-(2) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ520TP
SANYO Electric Co Ltd
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1 | 10000mA, 20V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TP, 4 PIN | 2SJ520TP |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ529(L)-(2)
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ529(L)-(2) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ528STL-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 60V, 0.37ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ528STL-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ527S
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 60V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ527S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||