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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ660(SMP-FD)
onsemi
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1 | Transistor | 2SJ660(SMP-FD) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ661
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 60V, 0.056ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ661 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ664(SMP-FD)
onsemi
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1 | Transistor | 2SJ664(SMP-FD) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ663(SMP)
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ663(SMP) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ665-DL-E
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 100V, 0.105ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | 2SJ665-DL-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ660(SMP)
onsemi
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1 | Transistor | 2SJ660(SMP) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ661-TL
SANYO Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 60V, 0.056ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ661-TL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ660
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 60V, 0.094ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ660 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ666(SMP-FD)
onsemi
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1 | Transistor | 2SJ666(SMP-FD) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ661(SMP-FD)
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ661(SMP-FD) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ663(SMP-FD)
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ663(SMP-FD) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ661-DL-1E
SANYO Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | 2SJ661-DL-1E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ661-TL
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 60V, 0.056ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ661-TL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ669
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 60V, 0.25ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ669 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ668(TE16L1,NQ
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 60V, 0.25ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ668(TE16L1,NQ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ668(TE16L1,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 60V, 0.25ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ668(TE16L1,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ664
SANYO Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 100V, 0.193ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ664 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ668(TE16L1)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 60V, 0.25ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ668(TE16L1) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ664
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 100V, 0.193ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ664 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ666(SMP)
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ666(SMP) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ661(SMP)
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ661(SMP) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ661-1E
SANYO Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | 2SJ661-1E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ665-DL-1E
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ665-DL-1E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ665(SMP-FD)
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ665(SMP-FD) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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