Showing 25 of 1627 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3557-7
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.05A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET | 2SK3557-7 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3576-T2B-AT
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK3576-T2B-AT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK359-D
Renesas Electronics Corporation
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1 | VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92 | 2SK359-D |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3529-01
Fuji Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 800V, 1.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SK3529-01 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3547G
Panasonic Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 50V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET | 2SK3547G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3575
NEC Electronics America Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 83A I(D), 30V, 0.0064ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, MP-25, 3 PIN | 2SK3575 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3576-T1B-AT
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK3576-T1B-AT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3557-7-TB-E
SANYO Semiconductor Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | 2SK3557-7-TB-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3576-T1B-A
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK3576-T1B-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3527-01
Fuji Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 600V, 0.37ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | 2SK3527-01 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3581-01SJ
Fuji Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 500V, 0.46ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK3581-01SJ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3572
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 20V, 0.0099ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SK3572 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3572
NEC Electronics America Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 20V, 0.0099ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, MP-25, 3 PIN | 2SK3572 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3503-T2
Renesas Electronics Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK3503-T2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK359
Renesas Electronics Corporation
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1 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK359 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3507-Z
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 30V, 0.073ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | 2SK3507-Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3575-ZK
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 83A I(D), 30V, 0.0064ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | 2SK3575-ZK |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3556-01SJ
Fuji Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 37A I(D), 250V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK3556-01SJ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3510(0)-AZ
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 83A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK3510(0)-AZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3561(Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK3561(Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3541-TP-HF
Micro Commercial Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | 2SK3541-TP-HF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3590-01
Fuji Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 150V, 0.041ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SK3590-01 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3516-01S
Fuji Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 450V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK3516-01S |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3549-01
Fuji Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 900V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | 2SK3549-01 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3511-AZ
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 83A I(D), 75V, 0.0125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SK3511-AZ |
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