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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3576-A
NEC Electronics Group
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, SC-96, 3 PIN | 2SK3576-A |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK3515-01MR
Fuji Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 450V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220F, 3 PIN | 2SK3515-01MR |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK3575
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 83A I(D), 30V, 0.0064ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, MP-25, 3 PIN | 2SK3575 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK3576
Renesas Electronics Corporation
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1 | 4000mA, 20V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, PLASTIC, SC-96, 3 PIN | 2SK3576 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK359DRF
Renesas Electronics Corporation
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1 | VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92, TO-92(2), 3 PIN | 2SK359DRF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK3572-Z
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 20V, 0.0099ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MP-25Z, 3 PIN | 2SK3572-Z |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK357
Toshiba America Electronic Components
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1 | TRANSISTOR 5 A, 150 V, 0.9 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, FET General Purpose Power | 2SK357 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK3574
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 30V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, MP-25, 3 PIN | 2SK3574 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK3577-T2B-AT
Renesas Electronics Corporation
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,30V V(BR)DSS,3.5A I(D),SOT-346 | 2SK3577-T2B-AT |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK3535-01
Fuji Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.4A I(D), 250V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TFP, 4 PIN | 2SK3535-01 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK3526-01SJ
Fuji Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | 2SK3526-01SJ |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK3582TV
Toshiba America Electronic Components
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1 | TRANSISTOR 0.34 mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, LEAD FREE, 2-1H1A, VESM2, 3 PIN, FET General Purpose Small Signal | 2SK3582TV |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK3512-01L
Fuji Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TPACK-3 | 2SK3512-01L |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK3573-ZK-AZ
NEC Electronics America Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 83A I(D), 20V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263, MP-25ZK, 3 PIN | 2SK3573-ZK-AZ |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK3502-01MR
Fuji Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 600V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220F, 3 PIN | 2SK3502-01MR |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK3539G0L
Panasonic Electronic Components
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1 | MOSFET N-CH 50V .1A S-MINI-3P | 2SK3539G0L |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK3513-01L
Fuji Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 600V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN | 2SK3513-01L |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK3511-S
Renesas Electronics Corporation
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1 | 83A, 75V, 0.0125ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, MP-25 FIN CUT, 3 PIN | 2SK3511-S |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK3592-01SJ
Fuji Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 57A I(D), 150V, 0.041ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | 2SK3592-01SJ |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK3573-S
NEC Electronics America Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 83A I(D), 20V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262, FIN CUT, MP-25, 3 PIN | 2SK3573-S |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK3570-ZK-AZ
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 20V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263, MP-25ZK, 3 PIN | 2SK3570-ZK-AZ |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK3582TK
Toshiba America Electronic Components
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1 | TRANSISTOR 0.34 mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TESM3, 2-1R1A, 3 PIN, FET General Purpose Small Signal | 2SK3582TK |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK3510-ZJ
Renesas Electronics Corporation
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1 | 83A, 75V, 0.0085ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, MP-25ZJ, 3 PIN | 2SK3510-ZJ |
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2SK3570-ZK-E1-AZ
Renesas Electronics
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1 | The 2SK3570-ZK is a Switching N-Channel Power Mosfet. | 2SK3570-ZK-E1-AZ |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK3572-ZK-E1-AY
Renesas Electronics
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1 | The 2SK3572-ZK is a Switching N-Channel Power Mosfet. | 2SK3572-ZK-E1-AY |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||