Showing 25 of 107 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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4N65G-S-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 2.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 4N65G-S-TF1-T |
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4N65G-S-TN3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 2.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | 4N65G-S-TN3-T |
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4N65G-Q-TMS-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 3.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 4N65G-Q-TMS-T |
0
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4N65G-N-TF3T-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 3.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 4N65G-N-TF3T-T |
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4N65G-N-K08-3030-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 3.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 4N65G-N-K08-3030-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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4N65G-N-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 3.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 4N65G-N-TF1-T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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4N65G-E-TMN2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 4N65G-E-TMN2-T |
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4N65G-U-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 4N65G-U-TF1-T |
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4N65G-Q-TF3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 3.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 4N65G-Q-TF3-T |
0
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4N65G-E-K08-3030-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 4N65G-E-K08-3030-R |
0
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4N65G-HC-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | 4N65G-HC-TN3-R |
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4N65G-R-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 3.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 4N65G-R-TF1-T |
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4N65G-HC-TMN2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 4N65G-HC-TMN2-T |
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4N65G-C-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 4N65G-C-TF1-T |
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4N65G-E-TF3T-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 4N65G-E-TF3T-T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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4N65G-N-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 3.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 4N65G-N-TA3-T |
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4N65G-CB-TM3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 2.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 4N65G-CB-TM3-T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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4N65G-HC-TF3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 4N65G-HC-TF3-T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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4N65G-N-TF2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 3.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 4N65G-N-TF2-T |
0
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4N65G-N-TM3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 3.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 4N65G-N-TM3-T |
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4N65G-TN3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | 4N65G-TN3-T |
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4N65G-E-TMS2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 4N65G-E-TMS2-T |
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4N65G-N-E-K08-5060-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 3.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 4N65G-N-E-K08-5060-R |
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4N65G-E-TF3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 4N65G-E-TF3-T |
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4N65G-TMS2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 4N65G-TMS2-T |
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