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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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520N05HT10M0000
CTS Corporation
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1 | Clipped Sine Output Oscillator, 10MHz Nom | 520N05HT10M0000 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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520N05HT16M3840
CTS Corporation
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1 | Clipped Sine Output Oscillator, 16.384MHz Nom | 520N05HT16M3840 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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520N05CT13M0000
CTS Corporation
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1 | Clipped Sine Output Oscillator, 13MHz Nom | 520N05CT13M0000 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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520N05HT26M0000
CTS Corporation
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1 | Clipped Sine Output Oscillator, 26MHz Nom | 520N05HT26M0000 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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520N05HA16M3840
CTS Corporation
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1 | Clipped Sine Output Oscillator, 16.384MHz Nom | 520N05HA16M3840 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFI520N-009
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFI520N-009 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFI520N-009PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFI520N-009PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRL520N-012PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRL520N-012PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HLMP-1520-N0000
Broadcom Limited
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1 | Single Color LED, Green, Microtinted Nondiffused, T-1, 3mm | HLMP-1520-N0000 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IXFZ520N075T2
IXYS Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 465A I(D), 75V, 0.0013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IXFZ520N075T2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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50533-0520N-001
Aces Electronics Co Ltd
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1 | FFC/FPC Connector, 52 Contact(s), 1 Row(s), Right Angle, 0.02 inch Pitch, Surface Mount Terminal, Locking, Black Insulator | 50533-0520N-001 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFI520N-013PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFI520N-013PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLI520N-018
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.7A I(D), 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLI520N-018 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF520N-018PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.5A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF520N-018PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFI520N-012PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFI520N-012PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLI520N-030PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.7A I(D), 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLI520N-030PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFI520N-002
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFI520N-002 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLI520N-029
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.7A I(D), 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLI520N-029 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFI520N-012PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFI520N-012PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLI520N-006PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.7A I(D), 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLI520N-006PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFI520N-019
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFI520N-019 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PW-82520N0-130
Data Device Corporation
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1 | 3-PHASE BRUSHLESS DC MOTOR CONTROLLER, 18A, Hybrid, DMA41 | PW-82520N0-130 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLI520N-004
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.7A I(D), 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLI520N-004 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF520N-031
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.5A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF520N-031 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLI520N-017PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.7A I(D), 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLI520N-017PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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