Showing 25 of 215 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT3520BN-GULLWING
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 350V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT3520BN-GULLWING |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT35GA90B
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 63A I(C), 900V V(BR)CES, N-Channel, TO-247 | APT35GA90B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT3530BN-BUTT
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | 18.5 A, 350 V, 0.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 | APT3530BN-BUTT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT35GN120SG
Microchip Technology Inc
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 94A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | APT35GN120SG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT3565BN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 350V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD | APT3565BN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT35G50BN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | TRANSISTOR,IGBT,N-CHAN,500V V(BR)CES,35A I(C),TO-247 | APT35G50BN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT3520BN-BUTT
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 350V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | APT3520BN-BUTT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT35GP120B2DF2
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 96A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | APT35GP120B2DF2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT3565CN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT3565CN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT3565GN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT3565GN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT35DL120HJ
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 35A, 1200V V(RRM), Silicon | APT35DL120HJ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT3520BN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | 26A, 350V, 0.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD | APT3520BN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT3520AN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22.5A I(D), 350V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA | APT3520AN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT35GP120B2DQ2G
Microchip Technology Inc
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 96A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | APT35GP120B2DQ2G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT35GT120JU3
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 55A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | APT35GT120JU3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT3580BN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | 10 A, 350 V, 0.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD | APT3580BN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT3565BN-BUTT
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | 11A, 350V, 0.65ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 | APT3565BN-BUTT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT35GT120JU3
Advanced Power Technology
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 55A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, ISOTOP-4 | APT35GT120JU3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT35GP120B
Microchip Technology Inc
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 96A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD | APT35GP120B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT35G60BN
Advanced Power Technology
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 35A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel | APT35G60BN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT3525AN
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT3525AN |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT3520HN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,350V V(BR)DSS,23.5A I(D),TO-258ISO | APT3520HN |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT35GN120S
Microchip Technology Inc
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 94A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | APT35GN120S |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT35GN120L2DQ2
Advanced Power Technology
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 94A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | APT35GN120L2DQ2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT35GN120L2DQ2G
Advanced Power Technology
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 94A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | APT35GN120L2DQ2G |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||