Showing 25 of 1011 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT50M50JFLC
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 77A I(D), 500V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT50M50JFLC |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT501R1AN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 500V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3 | APT501R1AN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT50GT120LRDQ2
Advanced Power Technology
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 106A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-264AA | APT50GT120LRDQ2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5022BNR
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 500V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD | APT5022BNR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5022BNR-GULLWING
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 500V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT5022BNR-GULLWING |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5014LVR
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 37A I(D), 500V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA, TO-264, 3 PIN | APT5014LVR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5023DN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT5023DN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5010EN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor | APT5010EN |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT50M60L2VFRG
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 77A I(D), 500V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT50M60L2VFRG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT50GH120BD30
Microchip Technology Inc
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor | APT50GH120BD30 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5085BNR
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,500V V(BR)DSS,9.5A I(D),TO-247AD | APT5085BNR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT50GP60B2D2
Advanced Power Technology
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 72A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel | APT50GP60B2D2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5027BNR
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 500V, 0.27ohm, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT5027BNR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5016SFLL
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 500V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT5016SFLL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5017BVFR
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 500V, 0.17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD | APT5017BVFR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5020BN-GULLWING
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | 28A, 500V, 0.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247, TO-247, 3 PIN | APT5020BN-GULLWING |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5030BNR
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | 21A, 500V, 0.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD | APT5030BNR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5024SVR
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 500V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT5024SVR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT50GP90JDF2
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | 80A, 900V, N-CHANNEL IGBT, ISOTOP, 4 PIN | APT50GP90JDF2 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT50M65LLL
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 67A I(D), 500V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA | APT50M65LLL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5022BNF
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT5022BNF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT50GF100BN
Advanced Power Technology
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel, TO-247 | APT50GF100BN |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT50GF100BN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | 50A, 1000V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 | APT50GF100BN |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT50GT60SRG
Microchip Technology Inc
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 110A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel | APT50GT60SRG |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT50GF60JU3
Advanced Power Technology
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel | APT50GF60JU3 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||