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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5560BN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 550V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD, TO-247AD, 3 PIN | APT5560BN |
0
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APT5530CN
Advanced Power Technology
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1 | Transistor | APT5530CN |
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APT5540BN-GULLWING
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 550V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247, 3 PIN | APT5540BN-GULLWING |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT5540BN-GULLWING
Microsemi Corporation
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1 | 18A, 550V, 0.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247, TO-247, 3 PIN | APT5540BN-GULLWING |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT5518SFLL
Microsemi Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 550V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, D3PAK-3 | APT5518SFLL |
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APT5545BN-BUTT
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 550V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | APT5545BN-BUTT |
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APT551R3BN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 550V, 1.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD | APT551R3BN |
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APT5517AFN
Microsemi Corporation
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1 | TRANSISTOR,MOSFET POWER MODULE,INDEPENDENT,550V V(BR)DSS,39A I(D) | APT5517AFN |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT551R6GN
Microsemi Corporation
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,550V V(BR)DSS,5A I(D),TO-257ISO | APT551R6GN |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT5550CN
Advanced Power Technology
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1 | Transistor | APT5550CN |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT551R2DN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT551R2DN |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT551R2BN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT551R2BN |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT5540HN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT5540HN |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT5510B2FLL
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 49A I(D), 550V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TMAX-3 | APT5510B2FLL |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT5540DN
Microsemi Corporation
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,550V V(BR)DSS,CHIP / DIE | APT5540DN |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT5510JFLL
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 44A I(D), 550V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ISOTOP-4 | APT5510JFLL |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT5510LFLL
Microsemi Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 49A I(D), 550V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA, TO-264, 3 PIN | APT5510LFLL |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT551R3CN
Microsemi Corporation
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,550V V(BR)DSS,6.5A I(D),TO-254ISO | APT551R3CN |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT5560BN-BUTT
Microsemi Corporation
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1 | 13A, 550V, 0.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 | APT5560BN-BUTT |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT5513LFLLG
Microsemi Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 41A I(D), 550V, 0.13ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA, TO-264, 3 PIN | APT5513LFLLG |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT551R3DN
Microsemi Corporation
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,550V V(BR)DSS,CHIP / DIE | APT551R3DN |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT5513LFLL
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 41A I(D), 550V, 0.13ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA, TO-264, 3 PIN | APT5513LFLL |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT5560BN-GULLWING
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 550V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247, 3 PIN | APT5560BN-GULLWING |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT5550BN
Advanced Power Technology
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1 | Transistor | APT5550BN |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT551R3AN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT551R3AN |
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