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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT6040DN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,600V V(BR)DSS,CHIP / DIE | APT6040DN |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT60D100BG
Advanced Power Technology
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 60A, 1000V V(RRM), Silicon, TO-247, ROHS COMPLIANT, TO-247, 2 PIN | APT60D100BG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT60M80L2VFR
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 65A I(D), 600V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT60M80L2VFR |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT60M80L2VR
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 65A I(D), 600V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT60M80L2VR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT601R3KN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 600V, 1.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | APT601R3KN |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT601R3KN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | 6.5A, 600V, 1.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN | APT601R3KN |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT6015B2VFR
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 600V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT6015B2VFR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT6035BN-BUTT
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 600V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | APT6035BN-BUTT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT6035BNR
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT6035BNR |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT6025SVR
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 600V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT6025SVR |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT60D60LCTG
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 60A, 600V V(RRM), Silicon, TO-264AA, ROHS COMPLIANT, TO-264, 3 PIN | APT60D60LCTG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT601R6BN-GULLWING
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 600V, 1.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT601R6BN-GULLWING |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT6010LFLLG
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 54A I(D), 600V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA | APT6010LFLLG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT601R6BN-GULLWING
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | 6.5A, 600V, 1.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247, TO-247, 3 PIN | APT601R6BN-GULLWING |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT60DQ100LCT
Advanced Power Technology
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 60A, 1000V V(RRM), Silicon, TO-264AA | APT60DQ100LCT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT6010LLLG
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 54A I(D), 600V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA | APT6010LLLG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT6040BNR
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 600V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD | APT6040BNR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT6025BVR
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 600V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | APT6025BVR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT60GT60JR
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 93A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel | APT60GT60JR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT601R6AN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | 6A, 600V, 1.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3 | APT601R6AN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT6030SN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 600V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT6030SN |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT60DQ120LCT
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 60A, 1200V V(RRM), Silicon, TO-264AA | APT60DQ120LCT |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT60D20LCTG
Advanced Power Technology
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 60A, 200V V(RRM), Silicon, TO-264AA, ROHS COMPLIANT, TO-264, 3 PIN | APT60D20LCTG |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT601R6BN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 600V, 1.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD | APT601R6BN |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT6060BN-GULLWING
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT6060BN-GULLWING |
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