Showing 25 of 200 results
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT75GN120L
Advanced Power Technology
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-264AA, TO-264, 3 PIN | APT75GN120L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT7590AN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT7590AN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT75GN60BDQ2G
Microsemi Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 | APT75GN60BDQ2G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT75DQ100BG
Microsemi Corporation
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 75A, 1000V V(RRM), Silicon, TO-247, ROHS COMPLIANT PACKAGE-2 | APT75DQ100BG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT75GP120J
Microsemi Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 128A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, ISOTOP-4 | APT75GP120J |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT75GN120JDQ3
Advanced Power Technology
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 124A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, ISOTOP-4 | APT75GN120JDQ3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT751R2BN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 750V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD, TO-247AD, 3 PIN | APT751R2BN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT75DQ60B
Advanced Power Technology
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 75A, 600V V(RRM), Silicon, TO-247, TO-247, 2 PIN | APT75DQ60B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT75DL120HJ
Microsemi Corporation
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1 | Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 75A, 1200V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, ISOTOP-4 | APT75DL120HJ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT7590BN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 750V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD | APT7590BN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT75GN60B
Advanced Power Technology
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 155A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247, 3 PIN | APT75GN60B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT75DL120HJ
Microchip
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1 | Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 75A, 1200V V(RRM), Silicon | APT75DL120HJ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT75GP120B2G
Microchip
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | APT75GP120B2G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT75GN60SDQ2G
Microsemi Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, ROHS COMPLIANT, D3PAK-3 | APT75GN60SDQ2G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT752R4AN
Microsemi Corporation
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,750V V(BR)DSS,5A I(D),TO-3 | APT752R4AN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT75F50L
Microsemi Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 500V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA, ROHS COMPLIANT, TO-264, 3 PIN | APT75F50L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT75GP120B2G
Microsemi Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, B2, TMAX-3 | APT75GP120B2G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT752R4BN-BUTT
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 750V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | APT752R4BN-BUTT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT75M50L
Microsemi Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 500V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA, ROHS COMPLIANT, TO-264, 3 PIN | APT75M50L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT75GN60BG
Advanced Power Technology
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 155A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, ROHS COMPLIANT, TO-247, 3 PIN | APT75GN60BG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT751R2BN-GULLWING
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 750V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247, 3 PIN | APT751R2BN-GULLWING |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT75GP120JD2
Microsemi Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 41A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | APT75GP120JD2 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT751R4BN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.5A I(D), 750V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD, TO-247AD, 3 PIN | APT751R4BN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT751R2AN
Microsemi Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT751R2AN |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT752R8CN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT752R8CN |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||