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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC010N04LSCATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 248A I(D), 40V, 0.00135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC010N04LSCATMA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC014N04LS
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 170A I(D), 40V, 0.0019ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC014N04LS |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC019N06NS
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 192A I(D), 60V, 0.00195ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC019N06NS |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC011N03LST
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 240A I(D), 30V, 0.0014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC011N03LST |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC017N04NSGATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 40V, 0.0017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC017N04NSGATMA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC014N03LSGXT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 30V, 0.0021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC014N03LSGXT |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC016N06NSTATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.0016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC016N06NSTATMA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC015NE2LS5IATMA1/SAMPLE
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 25V, 0.0022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC015NE2LS5IATMA1/SAMPLE |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC014N06NSTATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 257A I(D), 60V, 0.00145ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC014N06NSTATMA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC019N04NSG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 40V, 0.0019ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC019N04NSG |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC019N02KSGXT/SAMPLE
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 20V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC019N02KSGXT/SAMPLE |
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BSC018NE2LSIATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 25V, 0.0024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC018NE2LSIATMA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC018NE2LSATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 25V, 0.0023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC018NE2LSATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC014N03MSG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.00175ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC014N03MSG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC016N06NST
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 234A I(D), 60V, 0.0016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC016N06NST |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC016N04LSGXT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 40V, 0.0023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC016N04LSGXT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC010N04LSC
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 248A I(D), 40V, 0.00135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC010N04LSC |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC019N02KSGAUMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 20V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC019N02KSGAUMA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC011N03LSIATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 37A I(D), 30V, 0.0015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC011N03LSIATMA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC011N03LSATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 37A I(D), 30V, 0.0014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC011N03LSATMA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC016N03MSGATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 30V, 0.002ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC016N03MSGATMA1 |
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BSC016N04LSGATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 40V, 0.0023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC016N04LSGATMA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC019N04LST
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 161A I(D), 40V, 0.0027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC019N04LST |
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BSC016N04LSG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 40V, 0.0023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC016N04LSG |
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BSC016N03LSG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 30V, 0.0023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC016N03LSG |
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