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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP125
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.12A I(D), 600V, 45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP125 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP122-TAPE-7
NXP Semiconductors
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.55A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP122-TAPE-7 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP127TRL13
NXP Semiconductors
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.35A I(D), 270V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP127TRL13 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP126T/R
Philips Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.35A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP126T/R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP127-TAPE-7
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.35A I(D), 270V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP127-TAPE-7 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP126-T
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.35A I(D), 250V, 7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP126-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP128
Philips Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.35A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP128 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP122
North American Philips Discrete Products Div
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.55A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP122 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP126-TAPE-13
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.35A I(D), 250V, 7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP126-TAPE-13 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP128
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.35A I(D), 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP128 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP121TRL13
YAGEO Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP121TRL13 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP122
NXP Semiconductors
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.55A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP122 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP120-TAPE-13
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 200V, 12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP120-TAPE-13 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP125
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.11A I(D), 600V, 45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP125 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP122-T
Nexperia
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.55A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP122-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP123
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.38A I(D), 100V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP123 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP126TRL13
NXP Semiconductors
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 250V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP126TRL13 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP121TRL
YAGEO Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP121TRL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP128T/R
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8ohm, 1-Element, Silicon | BSP128T/R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP128135
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.35A I(D), 200V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP128135 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP129E7941
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 240V, 20ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP129E7941 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP127
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.35A I(D), 270V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP127 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP123E6327
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.38A I(D), 100V, 10ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-223, 4 PIN | BSP123E6327 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP125H6327XTSA1/SN
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor | BSP125H6327XTSA1/SN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP126-TAPE-7
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.35A I(D), 250V, 7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP126-TAPE-7 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||