Showing 25 of 364 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP317PL6327HTSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.43A I(D), 250V, 4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP317PL6327HTSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP316PH6327
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.68A I(D), 100V, 1.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP316PH6327 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP317PH6327
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.43A I(D), 250V, 4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP317PH6327 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP316P-E6327
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.68A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP316P-E6327 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP316
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.65A I(D), 100V, 2.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP316 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP315E6327
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 50V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP315E6327 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP318
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 60V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP318 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP317PL6327
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.43A I(D), 250V, 4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP317PL6327 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP318SE6327
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 60V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP318SE6327 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP316E-6327
Infineon Technologies AG
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1 | 0.65A, 100V, 2.2ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, SOT-223, 4 PIN | BSP316E-6327 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP315E6327
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 50V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-223, 4 PIN | BSP315E6327 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP315E6433
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 50V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP315E6433 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP318SH6327XTSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 60V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP318SH6327XTSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP316PH6327HTSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.68A I(D), 100V, 1.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP316PH6327HTSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP316PL6327
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.68A I(D), 100V, 1.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP316PL6327 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP319E-6327
Siemens
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1 | 3.8 A, 50 V, 0.07 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | BSP319E-6327 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP316
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.6A I(D), 100V, 2.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP316 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP319E6327
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 50V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP319E6327 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP316E6327
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.65A I(D), 100V, 2.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-223, 4 PIN | BSP316E6327 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP315E6433
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 50V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP315E6433 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP315PL6327
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.17A I(D), 60V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP315PL6327 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP315P-E6327
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.17A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP315P-E6327 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP317
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.34A I(D), 200V, 6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP317 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP315E-6327
Siemens
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1 | 1.1 A, 50 V, 0.8 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, SOT-223, 4 PIN | BSP315E-6327 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP318E-6327
Siemens
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1 | 2.6A, 60V, 0.15ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, SOT-223, 4 PIN | BSP318E-6327 |
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