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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK453-100B127
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUK453-100B127 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK456-200B
North American Philips Discrete Products Div
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUK456-200B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK456-1000A
Philips Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUK456-1000A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK454-800B,127
NXP Semiconductors
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1 | 2A, 800V, 8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | BUK454-800B,127 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK455-60B
Philips Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUK455-60B |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK454-450B
North American Philips Discrete Products Div
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUK454-450B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK454-800A127
NXP Semiconductors
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1 | TRANSISTOR 2.4 A, 800 V, 6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, FET General Purpose Power | BUK454-800A127 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK451-100A
Philips Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUK451-100A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK455-600B
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUK455-600B |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK456-200B,127
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 200V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUK456-200B,127 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK455-200B,127
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 200V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUK455-200B,127 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK454-200A
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUK454-200A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK453-100A127
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUK453-100A127 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK457-500A
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 500V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUK457-500A |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK455-200A
North American Philips Discrete Products Div
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, | BUK455-200A |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK453-60B
Philips Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUK453-60B |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK456-100A-T
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 100V, 0.057ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUK456-100A-T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK455-100A
North American Philips Discrete Products Div
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1 | Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUK455-100A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK456-100B127
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 100V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUK456-100B127 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK453-500B
Philips Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUK453-500B |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK455-100B
Philips Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUK455-100B |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK453-50B
North American Philips Discrete Products Div
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUK453-50B |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK456-1000B
Philips Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUK456-1000B |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK456-100B
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 100V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUK456-100B |
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BUK456-100A
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 100V, 0.057ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUK456-100A |
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