Showing 25 of 128 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ101L
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 50V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUZ101L |
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BUZ100-E3044
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 50V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ100-E3044 |
0
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BUZ100SE3045A
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 77A I(D), 55V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | BUZ100SE3045A |
0
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BUZ104S
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 55V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUZ104S |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ100-E3045
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 50V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ100-E3045 |
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BUZ103S
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 55V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUZ103S |
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BUZ102S-4
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.4A I(D), 55V, 0.028ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ102S-4 |
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BUZ104L
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17.5A I(D), 50V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUZ104L |
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BUZ101SLE3045
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 55V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | BUZ101SLE3045 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ101
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 50V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUZ101 |
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BUZ103AL
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 50V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUZ103AL |
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BUZ101SL-4
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.1A I(D), 55V, 0.075ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ101SL-4 |
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BUZ103
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 50V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUZ103 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ100-E3046
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 50V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ100-E3046 |
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BUZ100SE3045A
Rochester Electronics LLC
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1 | 77A, 55V, 0.015ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, PLASTIC, TO-263, 3 PIN | BUZ100SE3045A |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ104S
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13.5A I(D), 55V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUZ104S |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ104SL-4
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 55V, 0.125ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ104SL-4 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ100S
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 77A I(D), 55V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUZ100S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ101L
Rochester Electronics LLC
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1 | 29A, 50V, 0.06ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | BUZ101L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ102
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 50V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUZ102 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ101S
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 55V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUZ101S |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUZ100-E3046
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 50V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ100-E3046 |
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BUZ100SL-4
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.4A I(D), 55V, 0.023ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ100SL-4 |
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BUZ100S
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 77A I(D), 55V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUZ100S |
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BUZ103S-4
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 55V, 0.045ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BUZ103S-4 |
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