Showing 25 of 1417 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DMN10H220LE-13
Diodes Incorporated
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1 | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | DMN10H220LE-13 |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DMN1053UCP4-7
Diodes Incorporated
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 12V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | DMN1053UCP4-7 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DMN10H220LFVW-13
Diodes Incorporated
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.222ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | DMN10H220LFVW-13 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DMN10H6D2LFDB-13
Diodes Incorporated
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.27A I(D), 100V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | DMN10H6D2LFDB-13 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DMN1020UCA4-7
Diodes Incorporated
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | DMN1020UCA4-7 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DMN1002UCA6-7
Diodes Incorporated
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | DMN1002UCA6-7 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DMN1032UCP4-7
Diodes Incorporated
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.8A I(D), 12V, 0.042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | DMN1032UCP4-7 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DMN10H220LFVW-7
Diodes Incorporated
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.222ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | DMN10H220LFVW-7 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DMN10H170SFG-7
Diodes Incorporated
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 8.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | DMN10H170SFG-7 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DMN100
Lite-On Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | DMN100 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DMN10H100
Shenzhen Heketai Electronics Co Ltd
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1 | N-channel high voltage MOSFET with 100 V drain-source voltage, 18 A continuous drain current at VGS = 10 V, and on-resistance of 65 mΩ typical at VGS = 10 V, available in TO-252 package. | DMN10H100 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DMN1005UFDF-7
Diodes Incorporated
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14.1A I(D), 12V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | DMN1005UFDF-7 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DMN1008UFDFQ-13
Diodes Incorporated
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12.2A I(D), 12V, 0.0125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | DMN1008UFDFQ-13 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DMN1004UFDF-7
Diodes Incorporated
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 12V, 0.0048ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | DMN1004UFDF-7 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DMN1019USNQ-13
Diodes Incorporated
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.3A I(D), 12V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | DMN1019USNQ-13 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DMN10H170SFGQ-13
Diodes Incorporated
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.9A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | DMN10H170SFGQ-13 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DMN10H170SFDE-13
Diodes Incorporated
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.9A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | DMN10H170SFDE-13 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DMN1021UCA4-7
Diodes Incorporated
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.4A I(D), 12V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | DMN1021UCA4-7 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DMN10H099
Shenzhen Heketai Electronics Co Ltd
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1 | N-channel high voltage MOSFET with 100V drain-source voltage, 80mΩ RDS(ON) at VGS=10V, 17A continuous drain current, TO-252 surface mount package, suitable for power management and DC-DC converters. | DMN10H099 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DMN1003UFDE-13
Diodes Incorporated
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 12V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | DMN1003UFDE-13 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DMN10H170SFGQ-7
Diodes Incorporated
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1 | MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V | DMN10H170SFGQ-7 |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DMN10H220LDV-7
Diodes Incorporated
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10.5A I(D), 100V, 0.222ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | DMN10H220LDV-7 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DMN1014UFDF-13
Diodes Incorporated
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 8A I(D), 12V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | DMN1014UFDF-13 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DMN10H220LQ-13
Diodes Incorporated
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | DMN10H220LQ-13 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DMN10H099SFGQ-7
Diodes Incorporated
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 100V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | DMN10H099SFGQ-7 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||