Showing 25 of 1632 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DMT10H032SDVWQ-7
Diodes Incorporated
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 100V, 0.035ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | DMT10H032SDVWQ-7 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DMT10H009LSQ-13
Diodes Incorporated
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1 | Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 100V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | DMT10H009LSQ-13 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DMT10H009LPS-13
Diodes Incorporated
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1 | Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 100V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | DMT10H009LPS-13 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DMT10H032LK3-13
Diodes Incorporated
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1 | Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 100V, 0.032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | DMT10H032LK3-13 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DMT10H010LSSQ-13
Diodes Incorporated
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | DMT10H010LSSQ-13 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DMT10H072LFV-13
Diodes Incorporated
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.062ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | DMT10H072LFV-13 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DMT10H010LPS-13
Diodes Incorporated
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1 | MOSFET 100V N-Ch Enh FET Low Rdson | DMT10H010LPS-13 |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DMT10H072LFDF-13
Diodes Incorporated
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 100V, 0.062ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | DMT10H072LFDF-13 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DMT10H032LFDF-7
Diodes Incorporated
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 100V, 0.032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | DMT10H032LFDF-7 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DMT10H009LSS-13
Diodes Incorporated
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 100V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | DMT10H009LSS-13 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DMT10H032LFVW-7
Diodes Incorporated
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 100V, 0.032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | DMT10H032LFVW-7 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DMT10H032LDV-13
Diodes Incorporated
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.036ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | DMT10H032LDV-13 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DMT10U1A
Hirel Systems Ltd
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1 | Ind,Non-Specified,10uH,15% +Tol,15% -Tol | DMT10U1A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DMT10H010LSS-13
Diodes Incorporated
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11.5A I(D), 100V, 0.0095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | DMT10H010LSS-13 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DMT10H032LFVW-13
Diodes Incorporated
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 100V, 0.032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | DMT10H032LFVW-13 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DMT1002A
Hirel Systems Ltd
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1 | Ind,Non-Specified,100uH,15% +Tol,15% -Tol | DMT1002A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DMT10H9M9LCT
Diodes Incorporated
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1 | MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V TO220AB TUBE 50PCS | DMT10H9M9LCT |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DMT10U15A
Hirel Systems Ltd
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1 | General Purpose Inductor, 10uH, 15% | DMT10U15A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DMT10H032LSS-13
Diodes Incorporated
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 100V, 0.032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | DMT10H032LSS-13 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DMT10U4A
Hirel Systems Ltd
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1 | Ind,Non-Specified,10uH,15% +Tol,15% -Tol | DMT10U4A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DMT1008A
Hirel Systems Ltd
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1 | General Purpose Inductor, 100uH, 15% | DMT1008A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DMT10H015SPS-13
Diodes Incorporated
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.6A I(D), 100V, 0.0195ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | DMT10H015SPS-13 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DMT10H015L
Shenzhen Heketai Electronics Co Ltd
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1 | N-channel high-voltage MOSFET with 100 V drain-source voltage, 8.3 A continuous drain current, and ultralow on-resistance of 16 mΩ at 10 V gate-source voltage, housed in a surface-mount SOP-8 package. | DMT10H015L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DMT10H009LFG-13
Diodes Incorporated
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 100V, 0.0085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | DMT10H009LFG-13 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DMT10H052LFDF-7
Diodes Incorporated
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 100V, 0.052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | DMT10H052LFDF-7 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||